光电器件现代半导体器件物理与工艺.pptxVIP

光电器件;本章内容;辐射跃迁; 在激发态中的原子是很不稳定的，经过短暂的时间后，不需要外来的激发，它就会跳回基态，并放出一个能量为hν12的光子，这个过程即称为自发辐射[图(b)]。; 发光二极管的主要工作过程是自发辐射，激光二极管则是受激辐射，而光探测器和太阳能电池的工作过程则是吸收。 ; 受激辐射速率正比于光子场能量密度ρ(hν12)，此能量密度是在辐射场内单位体积、单位频率的总能量。因此，受激辐射速率可以写成B21n2ρ(hν12)。其中n2是较高能级的电子浓度，而B21则是比例常数。自发辐射速率只和较高能级的分布成正比，因此可以写成A21n2，其中A21是常数。吸收速率则是正比于较低能级的电子分布及ρ(hν12)，此速率可以写成B12n1ρ(hν12)，其中B12是比例常数。因此在稳态时 ; 欲使受激辐射大于自发辐射，必须要有很大的光子场能量密度ρ(hν12)。为了达到这样的密度，可以用一光学共振腔来提高光子场。; 如图显示的是半导体中的基本跃迁．当半导体被光照射后，如果光子的能量等于禁带宽度(即hν=Eg)，则半导体会吸收光子而产生电子-空穴对，如(a)所示．若hν大于Eg，则除了会产生电子-空穴对之外，多余的能量(hν-Eg)将以热的形式耗散，如(b)所示。; 假设半导体被一光子hν能量