集成电路工艺原理答案2-5详解.pdfVIP

第二次作业 1．（1）随着 MOS 器件尺寸不断缩小，栅氧化层的厚度也必须同时减薄。在此情况下，请 问MOS 器件对 Na ＋的玷污的敏感度是增加了还是降低了，为什么？ （2 ）在栅氧化层厚度不断减薄的情况下，对于硅片衬底的掺杂（或者器件沟道区的阈值 电压的调整注入），必须采用什么样的措施才能保证器件的阈值电压不变，为什么？ 2ε qN (2φ ) qQ V V 2φ s A f M 答：（1）根据阈值电压 =+ + + TH FB f C C ox ox 当tox 减小时，Cox会增加，所以此时同样的载流子数量QM对VTH有更小的影响，即MOS 器件对Na ＋的玷污敏感度会降低。 （2 ）通过上面的分析，可知，在tox减薄时，，Cox增大，为使VTH保持不变， 衬底（或沟道区掺杂浓度NA必须增大。 2 ．2 、基于使水（H