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SVF2N60M(F)(T)(D)说明书
SVF2N60M/F/T/D 说明书
TEL
QQ:2225620369
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60M/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应
晶体管采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺
技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品
具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿
耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源
转换器，高压 H 桥 PMW 马达驱动。
特点
∗ 2A ，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式
SVF2N60M TO-251-3L SVF2N60M 无铅 料管
SVF2N60F TO-220F-3L SVF2N60F 无铅 料管
SVF2N60T TO-220-3L SVF2N60T 无铅 料管
SVF2N60D TO-252-2L SVF2N60D 无铅 料管
SVF2N60DTR TO-252-2L SVF2N60D 无铅 编带
杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 2010.10.21
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SVF2N60M/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明，T =25°C)
C
参数范围
参 数 名 称 符号 单位
SVF2N60M/D SVF2N60T SVF2N60F
漏源电压 VDS 600 V
栅源电压 VGS ±30 V
漏极电流 ID 2.0 A
漏极脉冲电流 IDM 8.0 A
耗散功率(TC=25°C) 34 44 23 W
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