第21讲 扩散.pptVIP

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第21讲扩散要点

材料中的扩散 2016-12-7 重要扩散问题 1)半导体器件制造-Si掺杂 2)钢铁零件的渗碳和渗氮 3)铸件成份均匀化 4)离子导体的电导率 5)各种相变 Si掺杂 渗碳/渗氮 Fick扩散定律 第一定律(稳态扩散):J=-DdC/dx 第二定律(非稳态扩散):ЭC/Эt=DЭ2C/Э2x 扩散系数数据(at T=900°C) 扩散元 溶剂 D0(m2/s) 激活能Q D T Fe Fe-BCC 2.8x10-4 251kJ/mol 1.8x10-16, Fe Fe-FCC 5.0x10-5 284 1.1x10-17 C Fe-BCC 6.2x10-7 80 1.7x10-10 C Fe-FCC 2.3x10-5 148 5.9x10-12 扩散的微观机制 1 扩散机制 1)空位机制 2)间隙机制:a)异间隙;b)自间隙 3)直接交换机制 2 扩散系数的微观解释: D=D0exp(-?Hm/kT) 例题  计算在500℃下每小时通过一块面积为0.2m2、厚度为1mm的金属Pt的氢原子质量。假设Pt片两侧的氢浓度是2.4kg/m3 和0.6kg/m3。此温度下H在Pt在中的扩散系数是1.0x10-8m2/s。如果Pt片厚是10微米时,结果又如何?   非稳态扩散问题的解 1)限定扩散源:C(x,t)=[Mexp(-x2/4Dt)]/√(πDt) 其中, M=∫0∞cdx 2)恒定扩散源: (Cs-Cx)/(Cs-C0)= erf(x/(2√Dt))  例题 一硅片在1100°C下渗P。已知该温度下P在硅中的扩散系数是3x10-13cm2/s,硅片表面的P浓度是1018原子/cm3,原硅片中不含P。若要求表面下1微米处的P浓度达到1015原子/cm3,问需要渗多长时间。 渗碳例题 一25号钢在950℃的CH4气氛中渗碳,已知表面碳浓度是1.2%wt,该温度下C在钢中的扩散系数是1.6×10-11m2/s。若要求渗碳层厚度为0.5mm,且碳含量不低于0.8%wt。问渗碳时间。 互扩散-Kirkendall效应 Kirkendall效应:在置换固溶体中,由于两组元原子扩散系数的不同,造成扩散量的差异,从而引起界面标记物的漂移的现象。 Darken 分析: J1=-(D1C2/C+D2C1/C)dC/dx=-DdC/dx 上坡扩散 反应扩散 固溶体由于组元扩散导致其浓度超过固溶度,生成新相的现象。 例:C在低碳钢中的扩散。 影响扩散的因素 1)温度: D=D0exp(-Q/RT) 2) 晶体类型与结构:金属晶体比离子晶体易扩散,C在α-Fe和γ-Fe中的D差别大。 3)第三组元有影响。

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