场效应晶体管及其放大电路.PPT

1. 比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管放大电路，在电路结构上有何相似之处？为什么前者的输入电阻较高？ 2. 为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏置？ 思 考 题 例1 在图示电路中: （1）如果电路输入、输出电压的波形分别如图(a)、(b)所示。试问该电路的静态工作点可能处于或靠近哪个区？ （2）已知T工作于放大区及IDQ，RG1和RG2，求RS。 （3）在线性放大条件下，写出电路的Au、Ri及Ro的表达式。 o ui uo 3p o 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) 练习题 ? RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - 解：由图可知，该电路是一由N型沟道增强型MOS场效应管组成的共源极放大电路。 （1）由于电路的输出波形负半周出现了失真，故该电路的静态工作点Q靠近可变电阻。 o ui uo 3p o 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) ? RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - 将以上两式联立求解得： （2） 已知T工作于放大区 IDQ=k[UGSQ-UGS(th)]2 故 而 ? RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - （3） 微变等效电路 ? · ? RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - 例2 电路如图所示，已知T1的gm 和T2的?、rbe。试写出电压放大倍数Au 的表达式。 · 解 该电路是场效应管和晶体管组成的放大器。 画出该电路的微变等效电路。 T1 +VCC RG uo + ui + C1 RC T2 C2 + + - - ? 微变等效电路 T1 +VCC RG uo + ui + C1 RC T2 C2 + + - - ? RC RG uo ui ugs gmugs s g d rbe ? ib ib + – ? + – + – 由图可知 故电压放大倍数 · · · · · · · · · · · RC RG uo ui ugs gmugs s g d rbe ? ib ib + – ? + – + – * MOSFET符号 增强型 耗尽型 G S D S G D P沟道 G S D N沟道 G S D JFET符号 N沟道 P沟道 场效应管的特点（与双极型三极管比较） （1）场效应管是一种电压控制器件，即通过uGS来控制iD； 双极型三极管是一种电流控制器件，即通过iB来控制iC （2）场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常高。 双极型三极管的发射结始终处于正向偏置，有一定的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。 （4）场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定性较好，且存在零温度系数工作点。 （3）场效应管是利用多数（一种极性）载流子导电的。 在双极型三极管中二种极性的载流子（电子和空穴）同时参与了导电。 （5）场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、灵活。 （6）场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有双极性三极管5%。 （7）场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性三极管低。 （8） 由于MOS管的输入电阻高，由外界感应产生的电荷不易泄露，而栅极上的绝缘层又很薄，这将在栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层的击穿而损坏管子。 2. 绝缘栅场效应管的栅极为什么不能开路？ 思 考 题 1. 试比较三极管和场效应管的异同点。 3.3 场效应管放大电路 3.3.1 场效应管的偏置及其电路的静态分析 1．自给偏压 场效应管常用的偏置方式 自给偏压 分压式偏置 IDQ USQ= IDQ RS UGSQ= -IDQ RS (1) 电路 (2)自给偏压原理 + _ + _ (3) 静态分析 a. 方法一：图解法 (a) 列写输出回路方程 (c) 作图 (b) 列写输入回路方程 + _ + _ a b c d e a b c d e IDQ M N Qo UDSQ Qi UGSQ 作输出回路直流负载线 作控制特性 作输入回路直流负载线 b. 方法二：估算法 输入回路方程 当管子工作于放大区时 两式联立可求得IDQ 由此可得 + _ + _ 例 在图示电路其中，VDD=18V、RD=3kΩ、RS=1kΩ、RG=1MΩ，FET的IDSS=7mA、UGS(off)=－8V。试求UGSQ 、IDQ和UDSQ 。 U