《电子技术础》教案.doc

《电子技术基础》教案 适用学时：前60（54）学时 编写日期：2006年2月1日 § 绪言 学时：1学时 教学内容 电子技术基础课的性质 电子技术研究怎样通过各种半导体管以及由它们组成的电路将微弱电信号进行放大、变换或重新组合，然后应用到各个领域。 电子技术基础课主要介绍半导体器件的结构、工作原理和功能等，进而说明各种基本电路的应用范围、效率和形式。 电子技术基础课程的内容 1、半导体器件 二极管、三极管、场效应管等是最常用的半导体器件，本书重点介绍二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理、特性和主要参数，以及它们的简单检测方法。 2、放大和振荡电路 放大电路的放大功能是电子技术的重要理论依据。 3、集成运算放大器 4、直流电源 5、晶闸管电路 6、门电路及组合逻辑电路 7、触发器和时序电路 课程目的和学习方法 “电子技术基础”虽然是专业理论基础，但它具有很强的实践性。 § 第一章 常用半导体器件 第一节 半导体的基本知识 学时：1学时 教学要求： 了解半导体的一般概念 理解半导体的导电机理与导电特性 理解掺杂半导体的产生及导电类型 了解PN结的概念 理解PN结形成的原理及PN结的单向导电性 教学内容 半导体的导电特性 （a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 N型和P型半导体 1、N型半导体 在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.2所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。 图1.2 N型半导体的结构 2、P型半导体 在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.3所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。 图1.3 P型半导体的结构 PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成P型半导体和N型半导体。此时将在P型半导体和N型半导体的结合面上形成的物理过程示意图如图1.4所示。 图1.4 PN结的形成 2、PN结PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 （1） PN (a) 正向偏置 （b）反向偏置 图1.5 PN结的导电特性 PN结的反向截止特性 第二节 二极管 学时：2学时 教学要求： 了解二极管的结构、图形符号、型号类型 理解二极管的伏安特性及其主要参数 掌握二极管的简单检测方法 教学内容 二极管的结构、符号和类型 1、结构和符号 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 （a） 结构 （b）电路符号 （c）实物外形 图1.6 二极管结构、符号及外形 二极管的电压电流特性 加到二极管两端的电压和流过二极管的电流两者之间存在一定的关系，这种关系常用二极管的电压、电流特性曲线来描述。如图1.7所示。 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流I (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VR (3) 反向电流IR 二极管的识别和间易检测方法 在实践中，常用万用表的电阻档来测量二极管的电阻以判断它的极性及其质量好坏。万用表的红笔(正端)接表内电池的负级，黑笔（负端）接表内电池的正极。 要注意的是，由于二极管正向特性曲线起始端的非线性，PN接的正向电阻是随外加电压的变化而变化的，所以同一二极管用R×100和R×1K档时测得的正向电阻读数是不一样的。 第三节 三极管 学时：4学时 教学要求： 1了解三极管的结构、图形符号、型号类型、分类 理解三极管的放大作用和原理、特性曲线、主要参数 掌握三极管的识别和简单检测方法 教学内容 一、三极管的结构、符号和类型 图1.8 三极管的结构示意图及其在电路中的符号 二、三极管的电路放大作用 三极管的工作电压 要使三极管具有正常的电流放大作用，必须在其发射结上加正向偏置电压，在集电结上加反向偏置电压。 三极管内电流分配关系 三极管的电流放大作用 三、三极管的特性曲线 三极管的特性曲线是描述三极管各极的电压和电流变化关系的曲线，一些重要参数均可以从特性曲线上反映出来。 四、三极管的主要参数 1、电流放大系数 2、极间反向电流 五、三极管的识别和简单的测试 作业 教材P23 5、6、7 §课题一 二、三极管检测实验 学时2