高效功率放大器温度可靠性研究.pdfVIP

第 32卷 第 4期 天 津 理 工 大 学 学 报 Vo1．32 No．4 2016年 8月 JoURNAL oF TIANJIN UNIVERSITY oF TECHNoLOGY Aug．2016 文章编号：1673—095X(2016)04—0029—05 高效功率放大器温度可靠性研究 赵丽丽 (天津大学 电子信息工程学院，天津 300072) 摘 要：该文研 究了GaNHEMT开关类功率放 大器的直流特性和功率传输特性随温度变化的现象．本文基于GaN HEMT设计 了开关E类功率放大器，并通过加速寿命试验的方法研究了该功率放大器的直流和交流温度特性．研究表 明由于GaNHEMT的高温退化特性使得所设计的开关E类功率放大器的工作电流、小信号增益及最大输出功率等随温 度升高均有降低． 关键词：可靠性；氮化镓；高电子迁移率晶体管：功率放大器：加速寿命试验 中图分类号：TN306 文献标识码：A doi：10．3969~．issn．1673—095X．2016．004．007 Researchonthetemperaturereliabilityofhigheffi ciencypoweramplifier ZHA0Li—li (SchoolofElectronicInformationEngineering，TianjinUniversity，Tianjin300072，China) Abstract：ThephenomenonthatDC characteristicsandpowertransmissioncharacteristicsofGaN HEMTpoweramplifier varieswithtemperatureisstudied．BasedontheGaN HEMT，aclass—E poweramplifierisdesignedinthispaper．Andthe temperaturecharacteristicsofthepoweramplifierareanalyzedbasedonthemethodofacceleratedlifetests．Duetohigh temperaturedegradationmechanism ofGaNHEMT，theoperatingcurrent，small—signalgainandthemaximum outputpowerof thepoweramplifierdecreasewithincreasingtemperature． Keywords：reliability；gallium nitride；highelectronmobilitytransistor；poweramplifier；acceleratedlifetest 微波器件和电路是当今微电子技术的一个重要 化现象，验证了GaNHEMT的高温退化效应，分析了 发展方向，近年来以SiC、GaN为代表的宽带隙半导体 温度影响开关类功率放大器的机理，对 GaNHEMT高 微波器件因具有耐高温、耐辐射、微波性能好的优点 效 PA的热稳定性的研究和高可靠性PA的设计具 而广受关注，基于该材料的高电子迁移率的特点而开 有指导意义． 发出来的高电子迁移率晶体管(HEMT)也【发展迅速． GaNHEMT广泛用于高频大功率器件领域，然 1 GaNHEMT高效E类功率放大器的设计 而该晶体管的电容温度特性和膝点电压的高温退化 效应将导致大功率器件的阻抗失配，进而影响器件的 1．1 宽禁带 GaNHEMT 功率传输性能l2_3】．因此，GaNHEMT器件在不同工作 以宽禁带氮化镓 (GaN)l41材料为代表的第三代 条件下的