原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
MOCVD生长AlGaN薄膜的X光电子能谱-光子学报
32 8 Vol.32 No.8
2003 8 ACTA PHOTONICA SINICA August 2003
MOCVD Al aN X
1,2 1 3 3
苑进社 陈光德 林景瑜 汪红星
( 1 , 710049)
(2 , 710048)
(3 , 66502-2601)
用X 光电子能谱和X 射线衍射谱方法分析了MOCVD 生 的Al aN 薄膜的实际表面形态
和晶体结构基于XPS 测量结果,通过分析计算, 发现实际表面除 aN 外存在 a2O3 和Al2O3 及其
它与O有关的络合物构成的混合氧化物覆盖层, 估计覆盖层厚度约1.2 nmXRD 结果显示生 的
Al aN 薄膜为以 aN(0002) 取向为主的多晶结构
MOCVD; Al aN 薄膜;X 光电子能谱;X 射线衍射谱
O72 A
(NH ) (Al O ) , 1050 ,
0 3 2 3
4
4 10 PaAl a N,
0. 1 0.9
, 1 m ( Van der
( aN) 3.4 eV, Pauw) n Al aN ,
(AlN) 6.2 eVAl aN Al 17 3 2
5. 6 10 / cm , 221 cm /vsX
3.4~ 6. 2 eV , (XPS) V
200~ 365 nm, ESCALAB MKII , MgK
[1]
( 1253.6eV)X ,250 W,
, aN - 8
50 eV, 5 10 Pa
, aN , 0. 1%,
LED , 10000 h RI AKU X
LD; (UV detector) (XRD)
, 82%, 2
- 15 1/ 2
(NEP) 6. 6 10 W/Hz (f 100 Hz) ;
1XRD , 34. 58,
Al a N/ aN ms
x x - 1
0.21;32.8032.32,
[2,3]
ns ,
0.21;68.0273.08
, aN
文档评论（0）