直拉单晶硅中洁净区形成后铜沉淀行为的研究-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 076103 直拉单晶硅中洁净区形成后铜沉淀行为的研究* 1 12† 张光超 徐进 1) ( 厦门大学材料学院, 厦门 361005 ) 2) ( 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027 ) ( 2012 年8 月17 日收到; 2012 年11 月26 日收到修改稿) 本文研究了直拉单晶硅中形成洁净区后过渡族金属杂质铜的沉淀行为. 样品经过高低高三步常规热处理形成 洁净区后, 在不同温度下引入杂质铜, 然后对样品分别进行普通热处理和快速热处理, 通过腐蚀和光学显微镜研究 发现, 在700 ◦C 引入铜杂质后经过普通热处理和快速热处理都不会破坏洁净区, 在900 ◦C 和 1100 ◦C 引入铜杂质 后经过普通热处理不会破坏洁净区, 而经过快速热处理会破坏洁净区. 研究表明, 快速热处理可以使硅片体内产生 大量的空位, 空位的外扩散是破坏洁净区的主要原因. 关键词: 直拉单晶硅, 铜沉淀, 洁净区 PACS: 61.72.Yx, 61.72.Cc, 61.72.S−, 61.72.uf DOI: 10.7498/aps.62.076103 区域形成无晶体缺陷的洁净区, 而在硅片体内则是 4 1 引言 生成高密度的氧沉淀作为金属的吸杂源 . 硅片中 一旦有金属源自沉淀, 为了抑制近表面区域的金属 在现代集成电路制备工艺中, 随着超大规模集 沉淀, 硅片内必须产生足够高密度的氧沉淀作为金 1 属吸杂源. 高低高三步热处理工艺是一种传统内吸 成电路的发展和特征线宽的降低 , 单晶硅中微缺 5 陷以及各种杂质对集成电路成品率的影响也愈来 杂工艺 , 第一步高温处理以达到氧的外扩散效果, 愈明显, 这其中以过渡族金属的影响尤为显著. 由 第二步低温处理以在硅片体内形成高密度的氧沉 于不锈钢设备的大量使用使得过渡族金属很容易 淀核心, 第三步高温处理使氧沉淀长大并诱生出高 2 密度的缺陷. 这样氧沉淀及其诱生缺陷就可以作为 沾污硅片 , 并且硅中过渡族金属的固溶度随温度 的降低而迅速下降, 因此高温热处理时进入硅片的 过渡金属的异质形核点, 利用松弛吸杂机理从而达 2 过渡族金属杂质很容易在随后的冷却过程中沉淀 到吸杂的作用, 这就是内吸杂的基本原理 . 下来形成复合体, 这会在很大程度上降低材料的电 铜作为重要的过渡族金属之一, 是硅片中一种 学性能. 虽然随着设施的改进, 硅中过渡族金属杂 主要的有害金属杂质. 在硅片和器件的制造过程 志的浓度得到了显著的降低, 但是仍然无法做到完 中, 如果化学清洗、等离子体工艺乃至铜互连工 3 艺等稍有失控, 就有可能带来铜沾污. 晶体硅中的 全避免其沾污 . 工艺上常利用物理方