4-2-量子结构库仑阻塞效应.pptVIP

4-5 量子结构库仑阻塞效应 库仑阻塞效应 （Coulomb Blockade) 1951年,Gorter等人为了解释颗粒状金属电阻随温度下降所表现出来的反常增加行为，提出库仑阻塞概念。 1987年，在由两个微型金属隧穿结串联组成的系统上直接观察到电导的库仑阻塞振荡。 1989年，MIT的Scott-Thomos等人相继在硅反型层构成的一维沟道结构和GaAs/AlGaAs异质结构一维量子线的电导测量中，观察到了电导随栅压变化呈现周期振荡。 Kouwhenhoven等人利用分离栅在半导体异质结上制成了能控制单个电子进出的新器件。（称量子点旋转门） 考虑量子点的输运特性 （量子线断开，中间形成量子点—库仑岛） Source Drain Island 施加电压： 量子线部分电流连续流动，且起着输运电荷的作用（转移电荷） 转移电荷量可多可少。 库仑岛部分，由于电子间的库仑排斥作用，电荷转移不会是连续变化，只能按量子力学的隧穿效应，单个电子进行输运。 转移电荷量只能是增大一个电子或减少一个电子的电量 这样，一个体系中电荷的流动存在连续流动和不连续电荷转移两种机制。它们间的互作用，将导致一些有趣的效应。 假设： 1）量子点（库仑岛）体积非常小，这样它与周围产生的分布电荷非常小（10-16-10