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晶体振荡器的应用 李德昌 图1 最常用的振荡电路是集电极交流接地的考毕兹振荡电路（如图2所示）。此电路的优点是电路简单、可靠、稳定。 图2 ???2.1.2输出电路 　　输出电路的作用是对振荡获得的正弦信号进行缓冲、放大、整形,得到图3所示的标准输出电平,驱动负载或后级门电路。这里,还经常用到逻辑电平转换电路和分频、倍频电路。 图3 其输出正弦波电平用Vp-p、VRMS或dBm表示,dBm的计算式为：必要时,还须注明谐波抑制比。方波或矩形波输出电平应注明TTL、CMOS、HCMOS还是ECL、直流分量值，并且表示出占空比、上升时间、下降时间等其它相应参数。 标准输出负载为50Ω、1kΩ、10kΩ∥10pF或用驱动几个门电路表示,如驱动2个门,5个门电路。 对晶体振荡器的噪声系数有特殊要求时,则应严格设计振荡、放大电路及电源。譬如主振选用低噪声管、低噪声压控电压并使振荡在低电压工作,各级电路必须匹配以保证无反射、辐射。 2.2晶体振荡器常用标频、术语及电源 2.2.1晶体振荡器常用标频（MHz,包括倍频/分频） 1.64，4.096，5，5.2，6.4，7.68，9.6，10，12，12.8，13，15，16.384，18.432，19.2，20，26，30，32.768，38.88，40.96，51.2，60，70， 80，91.2，100。 2.2.2术语 标称频率工作温度范围频率温度稳定度负载频率允差电压频率允差短期频率稳定性日老化年老化压控电压压控线性度压控灵敏度基准温度初始精度起动电流稳态电流相位噪声 2.2.3电源 晶体振荡器应选用稳压性能好、温度漂移小的直流电源。输入电压变化±5％或±10％时,输出电压在10ppm/℃～100ppm/℃之间。常用电源电压为3.3V、5V、9V、12V、24V、－5.2V或－5V。2.3晶体振荡器的分类 根据振荡电路调频,稳频方法将晶体振荡器分为以下5种： 2.3.1普通晶体振荡器PXO（Packaged X＇tal Osillator） ?晶体振荡频率固定,频率温度性能主要由晶体温度性能决定的晶体振荡器被称为简式晶振。其电路简单,但频率稳定度低,常用作时钟振荡器。??? 晶体等效电路如图4所示,通常??? L：10mH～1000mH??? C:0.0002pF～0.1pF??? R：100Ω??? CO:1pF～100pF 图4 串联谐振频率ωs和并联谐振频率ωp分别为,。品质因数 , 可 达 104～ 106,加上稳定的电路,可轻易地获得1×10－5的频率温度稳定度。2.3.2压控晶体振荡器VCXO（Voltage Controlled X＇tal Osillator）??? 用调节外电压的方法改变晶体串联的变容管结电容以牵引振荡频率,称为压控晶振。其可用频率范围为10MHz～1700MHz,典型频率范围为40MHz～80MHz,频率牵引范围为±10ppm～±200ppm,最大为±500ppm。压控晶振也未对晶体进行任何补偿,它主要应用在全球移动通讯、个人蜂窝电话和通讯基站中。2.3.3温度补偿晶体振荡器TCXO（Temperature Compensated X＇tal Osillator）??? 通过附加温度补偿网络,使环境温度变化后晶体串联回路电容反向变化,以抵消晶体所产生的频率—温度漂移。参见图5温度补偿曲线,Ⅰ为AT切型晶体频率—温度特性曲线,Ⅱ为晶体串联回路补偿曲线,Ⅲ为补偿后的晶体振荡器频率—温度特性曲线。根据补偿网络及其所接位置,将温补晶振分为直接补偿和间接补偿晶振。 图5 1）直接补偿??? 热敏电阻、电阻和电容组成温补网络,直接串接在晶体电路。??? 2）间接补偿???它分为模式式、数字式两种。??? ——模拟式??? 基准电压通过电阻、热敏电阻构成的补偿网络,产生随温度而变的电压直接驱动作为晶体负载电容的变容二极管，反向补偿晶体频率－温度特性。这种补偿能够在－40℃～＋85℃宽温范围内获得较好的补偿效果,目前应用最为广泛,并已将它作成专用集成电路芯片。??? ——数字式??? 图6示出基本原理框图。由温度传感器输出的信号进入ADC变成数字信号,控制PC正常运作,由DAC再变成模拟信号经匹配电路驱动变容管。因为补偿电路较复杂、成本较高,一般用於移动基站和广播电台等要求较高的地方。表1列出了目前国外同类产品的温补性能供参考。对晶体频率－温度特性进行温度补偿,目的是让晶振频率－温度特性曲线尽量接近于一条直线,若能保持在晶体工作高温拐点（TurningPoint）处,晶振的频率—温度稳定性自然会很高,因为此处df/dt=0。 图6 表1 国外产品的温补性能 补偿方法 温度稳定性(ppm) 附加