实现无与伦比的IGBT效率.PDF

实现无与伦比的IGBT效率 TRENCHSTOP™5——引领IGBT进入全新效率领域 IGBT的发展进入TRENCHSTOP™5时期，能为高速开关拓扑提供标杆效率水 平，比如光伏逆变器、不间断电源（UPS）和逆变焊机等应用中常见的升压PFC （AC/DC ）级和高压DC/DC拓扑。 文：Mark Thomas，英飞凌奥地利分立式IGBT 产品营销负责人 TRENCHSTOP ™ 5技术 （图1右侧）采用英飞凌TRENCHSTOP™概念的核心 原理，将沟槽栅结构与场截止结构结合在一起，并通过采用改进单元设计和降低 晶圆厚度，进一步提升性能。 图1： 英飞凌IGBT技术的演进 为最大限度降低总功耗，生产出具备前所未有最低传导损耗（VCE(sat) ）和总开 关损耗（Ets）的IGBT，TRENCHSTOP ™ 5独具两大全新特点： 1) 芯片厚度由70微米——600V击穿电压下最薄的商用IGBT——降至50微米。 晶圆厚度降低20% 以上，同时实现了650V的额定击穿电压。这优化了载流子 曲线，使漂移区的少数载流子大幅减少，从而消除了IGBT的长尾流限制； 2) 全新的晶体管单元结构意味着电流密度大幅提升而栅电荷 （Qg）降低。 静态行为对比 图2是TRENCHSTOP™技术与全新的TRENCHSTOP™ 5技术在25°C条件下的 传导损耗[Vce(sat)]与关断损耗[Eoff]折中对比图，从中我们不难看出，新型IGBT 使效率得到大幅改进。 相比于40A H3产品（IGP40N60H3）——一种采用TRENCHSTOP™ 技术的高 速优化IGBT，TRENCHSTOP ™ 5使开关损耗降低60% 以上，同时使传导损耗降 低10%，从而使总开关损耗相对于前代IGBT大幅降低。 图2 ： 25°C下的Vce(sat)与Eoff的折中对比图 同时，在高结温工作条件下，TRENCHSTOP™ 5的饱和电压正温度系数和关断 损耗可确保避免热失控风险，轻松实现并联。此外，针对高结温或工作范围内具 有不同结温的应用进行IGBT设计的设计师，不会像利用当前市场上具有正温度 系数的IGBT那样，遭遇大幅度效率降低。 如图3所示，Vce(sat)和Eoff的折中点在高结温条件下沿正方向略微提高。 TRENCHSTOP ™ 5的Vce(sat) 比40A H3器件低75% 以上。 图3：高结温条件下Vce(sat)与Eoff的折中对比图 动态行为对比 IGBT开关时产生的长尾流是它面临的一个局限，因为少数载流子穿过漂移区或 重组需要一定时间，这限制了IGBT应用于高速应用。 2 图4 ： H3与H5 的关断开关比对 2008年，英飞凌成功推出600V HighSpeed 3 （H3）系列，其类似MOS的关断 行为最受设计师青睐，因此，H3被成功用于高达80 kHz的开关应用，这表明IGBT 的应用范围扩展至更高开关频率领域。客户对H3的电磁兼容性 （EMC）表现非 常认可，因此，TRENCHSTOP ™ 5采用了与H3相同水平的关断di/dt、过冲电压 和建立时间行为。 采用TRENCHSTOP™ 5技术的全新H5器件的性能大幅改进得益于关断损耗。这 一点从图4 中可以清楚地看到：在保持相同水平di/dt和过冲电压的同时，H5的损 耗大幅降低。 与英飞凌HighSpeed 3技术的全面比对 相对于HighSpeed 3 （H3）系列，TRENCHSTOP ™ 5在所有静态参数和动态 参数方面都实现了大幅改进。  击穿电压提高50V，可在不影响可靠性的条件下提高总线电压。另外，对于 太阳能应用而言，辐射耐受能力得以提升；  降低250mV的传导损耗 （Vce(sat) ）和降低50%的开关损耗（Eon 和Eoff）， 带来前所未有的高效率高速IGBT；  大幅降低的Coss、Cres确保杰出的轻载效率。 图5：用于比对分析的标准PFC配置  50%的栅电荷 （Qg）降幅能在不牺牲性能条件下使用更低功率驱动IC，为降 低系统成本创造条件；  饱和电压正温度系数和开关损耗意味着，器件在更高结温条件下运行时，效 率不会受到影响，且并联时不会出现热失控问题；  TRENCHSTOP ™ 5采用全新的Rapid硅二极管作为续流二极管（FWD）， 可提供50纳秒反向恢复时间（trr）和温度稳定正向电压（VF ）。这可确保