双PWM变频器中的IGBT模块损耗_邹高域.pdfVIP

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2017-05-29 发布于浙江
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双PWM变频器中的IGBT模块损耗_邹高域

DOI:10.16511/j.cnki.qhdxxb.2013.07.028 ISSN 1000-0054 ( )2013 53 7 17 / 28 清华大学学报自然科学版年第卷第期 CN 11-2223 / N J Tsinghua Univ (Sci ＆ Technol)，2013 ，Vol． 53 ，No． 7 1011-1018 双PWM 变频器中的IGBT 模块损耗邹高域，赵争鸣，袁立强，尹璐 ( ，， 100084 ) 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室北京 : ，摘要在电力电子变换器中功率器件的损耗是系统损耗。，方面会影响散热器的温度变化因此研究器件损，，的主要部分准确地计算其损耗建立适用于实际应用的损，耗可以为系统的器件选型和散热设计提供指导也。耗模型可以指导系统的器件选型和散热设计该文详细分为系统的工作效率计算提供重要依据。通过研究器析了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其反并联二极管的开关件损耗与散热系统之间的关系，可以合理地进行散，，、过程建立了器件的通态和瞬态的损耗模型并考虑了结温，，热设计避免由于不合理的设计使器件损耗增加导。杂散参数等因素的影响在此基础上推导了系统在空间矢，，致器件因过温而无法正常工作影响其工作寿命甚 (SVPWM) 1 量脉宽调制方式下个周期中的通态损耗和开关至因热疲劳发生失效。，损耗的平均功率从而建立了一套比较实用的考虑结温对器