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《硅材料检测技术》
填空
冷热探笔法测太阳能电池导电类型。
在冷热二端之间建立电场，电场的方向冷→热。
电阻率公式： ρ=US/IL(二） ρ=CU23/I（四)
太阳能电池片样品二端电压的变化量与半导体中非平衡载流子浓度成正比关系。
刃型位错的柏格斯矢量与位错线垂直，而螺型位错的柏格斯矢量平行。
半导体硅是金刚石结构，立方晶系。
O半峰宽32cmˉ1，C半峰宽6cmˉ1。
纯水（去离子水）即去掉阴阳离子和有机物等杂质的水。
名词解释
载流子的扩散系数D（cm2/s)
测试要满足的小注入条件：无论是直流光电导法或高频光电导法测量少数载流子寿命时应满足的小注入条件。注入比的定义是Δp/no1%就符合小注入条件。
电化学腐蚀：金属或半导体材料于高温(1200°C)在腐蚀气体中所受到的腐蚀。
Sirtl腐蚀液: 可显示（111）面缺陷，广泛应用。腐蚀时间10~15min。1储备液（33%CrO3水溶液）1HF； Dash腐蚀液:可腐蚀各个晶面，随位错线深入到晶体中会出现深的腐蚀坑，减少冰醋酸量可使腐蚀加快。腐蚀时间1~16小时。1HF、3HNO3、8~12HAC。
微缺陷浅坑与位错蚀坑的区别：前者呈浅的平底坑，显微镜下呈白亮的芯，而后者呈深的尖底坑，显微镜下呈黑三角形。
半峰宽：在吸收系数与波数关系曲线上，取1/2αmax为半峰高，在半峰高处吸收峰的宽度波数值。
离子交换树脂：一种包含离子交换团的的树脂，可选择性交换水中阴离子或阳离子；
水回收率：产品水流量除以整个的给水流量。如果考虑到浓水返回前置RO，回收率一般为99%，如果浓水被排放，回收率可为90~95%。
解答题
四探针法：用针距约为1mm的四根探针同时压在样品平整表面上，利用恒流源给外面二根探针通以电流，然后在中间二根探针上用电位差计或其它高输入阻抗的电压表测量电压降，再根据电阻率公式计算样品的电阻率ρ=CU23/I，一般情况下ρ=U23。
解理面：矿物晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂，并且能裂出光滑平面的性质称为解理，这些平面称为解理面。解理面一般平行于面间距最大，面网密度最大的晶面，因为面间距大，面间的引力小，这样就造成解理面一般的晶面指数较低，如Si的解理面为（111）。π[1/s1+1/s3-1/(s1+s2)-1/(s2+s3)]ˉ1
=2*3.14*（1/1.002+1/1.001-1/2.002-1/2.001）
=6.89
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