第2章 半导体二极管（用3学时）.pptVIP

2.1.3 掺杂半导体 2.1.3 掺杂半导体 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2.3 半导体二极管 2.3.1 基本结构 2.3 半导体二极管 2.3.2 伏安特性 2.3.3 主要参数 2.4.2二极管电路分析举例 Eg.6全波整流电路 2. 工作原理 Eg.6 全波整流电路 2. 工作原理 §2.5 特殊二极管 2.5.1 稳压二极管 3. 主要参数 mA V E I R 伏安特性实验电路 2.3.2 伏安特性 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V,锗0.2~0.3V。 U I 死区电压 阳 阴 + – 阳 阴 – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压 VBR 3. 反向电流 IR 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。 最大反向工作电压VRM——实际工作时，为安全：  VRM ≈ VBR /2 ， 在室温及规定的反向电压下的反向电流值。  硅管：(nA)级； 锗管： (?A)级。 二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 第二章 半导体二极管及其基本电路 §2.1 半导体的基本知识 §2.2 PN结的形成及特性 §2.4 二极管的基本电路及其分析方法 §2.5 特殊二极管 §2.3 二极管 2.4 二极管的基本电路及其分析方法 2.4.1 半导体二极管等效模型： 1 理想模型： 理想二极管 (vD ＞0) 二极管导通 V F =0 r=0 开关闭合 (vD 0) 二极管截止 iD =0 r=∞ 开关断开 2 恒压降模型： (vD ＞ VF ) 二极管导通 vD = VF r=0 开关闭合 (vD VF) 二极管截止 iD =0 r=∞ 开关断开 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.7V 锗0.2V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 Eg.1 简单硅二极管电路：  R=10K? 解：分析可知二 极管正偏： 1 理想模型： 2 恒压降模型： 求:VDD = 10V时  I D 及V D 硅二极管电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 1、理想模型：VD=0V，UAB =－ 6V 2、恒压降模型，VD=0.7V，UAB =－ 6.7V Eg.2： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – + - ※ 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 1、理想模型: VD2=0V ，UAB = 0 V Eg.3: D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 求：UAB 在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – Eg.4 电路如图， (设D为理想二极管）