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高温SiCMESFET特性模拟研究
2001 12 () Dec.2001
28 6 J OURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY Vol.28 No.6
SiC MESFET
吕红亮, 张义门, 张玉明, 何 光
(西安电子科技大学 微电子研究所, 陕西 西安 710071)
:在建立SiC 材料和器件的有关模型基础上, 运用二维器件模拟器MEDICI在200～ 700 K 度范围
内, 对4H-SiC MESFET的直流和交流小信号特性进行了模拟与分析.将模拟所得到的高 特性典型参数
与实验值进行比较分析, 得到较满意的结果.
:碳化硅;MESFET;交流小信号特性;二维模拟
:TN303 :A :1001-2400(2001)06-0776-05
Simulation study of high temperature characteristics
of SiC MESFETs
LU¨Hong-liang, ZHANGYi-men, ZHANGYu-ming, HE Guang
(Researc Inst.of Microelectronis, Xidian Univ., Xi′an 710071, C ina)
Abstract: Based on t e relevant models of SiC material and devices, t e c aracteristics of DC and AC small-signals
of 4H-SiC MESFET are simulated under t e range of 200～ 700 K wit t e 2-D simulator MEDICI.Good performance
for device parameters versus temperature is obtained against experimental data.
Key Words: SiC;MESFET;AC small-signals;2-D simulation
SiC 、、、、、、
, ., SiC
.4H-SiC MESFET, ,
.
, .,
MEDICISiC Si GaAs .
SiC , SiC “”,
, ., SiC ,
.SiC , 4H-SiC , MESFET
, , 4H-SiC MESFET, .
1 理论模型
1.1
-3 :⑴;⑵;⑶.3
:
2 + -
ε ψ=-q(p -n +N -N )-ρ , (1)
D A s
:2000-12-20
:(00J.8.2.1.DZ0130)
:(1978-), , .
第6 期 吕红亮等:高温SiC MESFET 特性模拟研究 777
n 1
= ·J -U =F (ψ, n,p) , (2)
t q n n
p 1
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