PECVD培训1.pptx

centrotherm 毛振乐 2011.3.31 2 目录 基本原理简介 工艺流程 设备结构简介 工艺参数优化方向 3 工作原理 Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和低频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接在装在镀膜板中间的介质中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨气NH3。可以改变硅烷对氨的比率，来得到不同的折射率。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得硅片的氢钝化性十分良好。 基本原理 4 基本原理 ~ + _ 5 工作原理 3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑ 利用低温等离子体作能量源，硅片置于低气压下辉光放电的电极上，利用辉光放电使硅片升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。： 基本原理 6 1. processing started 工艺开始 2. fill tube with N2 充氮 3. loading boat (paddle in upper position) 进舟（桨在高位） 4. paddle moves downwards 桨降至低位 5. move out (paddle in lower position ) 桨在低位移出管外 镀膜工艺流程 7 镀膜工艺流程 6. evacuate tube and pressure test 管内抽真空并作压力测试 7. plasma preclean and check with NH3 通过高频电源用氨气预清理和检查 8. purge cycle 1 清洗管路1 9. leak test 测漏 10. wait until all zones are on min temperature 恒温 8 镀膜工艺流程 11. ammonia plasma preclean 通过高频电源用氨气清理 12. deposition 镀膜 13. end of deposition 结束镀膜 14. evacuate tube and pressure test 抽真空及测试压力 15. purge cycle 1 清洗管路1 9 镀膜工艺流程 16. fill tube with N2 充氮 17. move in paddle – lower position 桨在低位进入管内 18. SLS moving to upper position SLS移到高位 19. unloading boat 退舟 20. end of process 结束工艺 10 镀膜工艺流程 11 设备结构 设备结构 12 设备结构 装载区 炉体 特气柜 真空系统 控制系统 设备结构 13 设备结构： 装载区： 桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。 桨： 由碳化硅材料制成，具有耐高温、防 变形等性能。作用是将石墨舟放入或 取出石英管。 LIFT： 机械臂系统，使舟在机械臂作用下在 小车、桨、储存区之间互相移动。 抽风系统 : 位于晶片装载区上方，初步的冷却石 墨舟和一定程度的过滤残余气体 SLS系统： 软着陆系统，控制桨的上下，移动范