06第六章 内存组成、原理及接口.pptVIP

第6章 内存组成、原理与接口 本章主要内容 微型机的存储系统分类及其特点 半导体存储芯片的特性 半导体与系统的连接 存储器扩展技术 高速缓存 6.1 概 述 6.1 概 述 内容： 微机的存储系统 半导体存储器的基本概念 存储器的分类及其特点 两类半导体存储器的主要区别 6.1.1微型机的存储系统 将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法组织起来 这样就构成了计算机的存储系统。 系统的存储速度接近最快的存储器，容量接近最大的存储器。 微型机的存储系统 Cache存储系统 解决速度问题 虚拟存储系统 解决容量问题 存储器的层次结构 微机拥有不同类型的存储部件 由上至下容量越来越大，但速度越来越慢 分类——内存、外存 内存——存放当前运行的程序和正在使用数据。 特点：快，容量小，随机存取，成本高，CPU可直接访问。 通常由半导体存储器构成 RAM、ROM 外存——存放非当前使用的程序和数据。 特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。需调入内存后CPU才能访问。 通常由磁、光存储器构成，也可以由半导体存储器构成 磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘 半导体存储器 由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的一些半导体器件组成。如触发器、MOS管的栅极电容等。 能存放一位二进制数的器件称为一个存储元。 若干存储元构成一个存储单元。 半导体存储器的分类 半导体存储器 随机存取存储器（RAM） RAM 只读存储器（ROM） 只读存储器 新型M 新型M 存储器的主要技术指标 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 平均故障间隔时间MTBF（可靠性） 功耗：动态功耗、静态功耗 6.2 半导体存储器的系统结构及其典型芯片 1.存储器的系统组成 基本存储单元：一个基本存储单元可以存放一位二进制信息，其内部具有两个稳定的且相互对立的状态。 存储体：由基本存储单元构成的阵列。 地址译码器：接受CPU送来的地址信号对它进行译码，选择存储单元，对该单元进行读/写操作。 1.存储器的系统组成 片选与读/写控制电路：实现芯片的选择。 I/O电路：控制信息的读出与写入，包含对I/O信号的驱动及放大处理功能。 集电极开路或三态输出缓冲器：为扩充容量，将多片RAM芯片的数据线并联使用或与双向的数据线相连，需使用集电极开路或三态输出缓冲器。 其它外围电路：对不同类型的存储器，需特殊的外围电路，如动态RAM中的预充电及刷新操作控制电路等。 2.译码分类 单译码：单译码方式又称字结构，适用于小容量存储器。 双译码：将地址译码器分成两部分 行译码器(X译码器)。 列译码器(Y译码器)。 行、列选择线交叉处为所选中的单元。 单译码 双译码 3.芯片容量 容量位1k芯片可由以下组合组成 1kX1位（位片结构） 10位地址线，1位数据线；8个芯片并行同步工作。 128X8位（字片结构） 7位地址线，8位数据线；1个芯片即可。 6.3 随机存储器RAM 静态RAM(SRAM) 静态RAM的基本存储单元 用于存储一位二进制代码“0”或者“1”。 SRAM的主要特点 集成度不高，功耗较大。 静态RAM的优点是不需要刷新电路，从而简化了外部控制逻辑电路，此外SRAM存取速度比DRAM快，因而通常用作微型计算机系统中的高速缓存(Cache)。 静态RAM芯片举例 常用的SRAM芯片有HM6116、 6264、 62256、 628128。 重点介绍6116芯片。 SRAM芯片HM6116 容量为2 K×8 bit，2048个存储单元，11根地址线，7根行地址线，4根列地址线，每条列线控制8位，128×128个存储阵列。控制线有三条，片选CS*、输出允许OE*和读写控制WE*。 SRAM芯片HM6116工作模式 动态RAM(DRAM) DRAM基本存储单元电路 利用MOS管构成许多“基本存储单元”(cells)按行、列形式构成的二维存储矩阵来组成的。 动态RAM基本存储单元是由一个MOS管和一个小电容构成，故称“单管动态RAM基本存储单元电路” 。 DRAM的刷新 由于任何电容均存在漏电效应，所以经过一段时间后电容上的电荷会流失殆尽，所存信息也就丢失了。 对电容漏电的解决办法是定期地对内存中所有动态RAM存储单元进行刷新(refresh)，使原来表示逻辑“1”电容上的电荷得到补充，而原来表示逻辑“0”的电容仍保持无电荷状态。 DRAM 的主要特点