VLSI超纯水站设计.pdfVIP

　 　　中国给水排水 2001 Vol. 17 　　　　　　　　　　CHINA WA TER WASTEWA TER 　　　　　　　　　　No. 3 VL SI 超 纯 水 站 设 计 1 1 2 刘建伟 , 　莫德举 , 　寇玉香 ( 1. 北京化工大学 信息科学与技术学院 , 北京 100029 ; 2. 新疆维吾尔自治区农科院 , 新疆 乌鲁木齐 830000) 　　摘 　要 : 　介绍了清华大学微电子所 VL SI 超纯水站工艺设计思想及设备选型 ,并阐明了对关 键设备选型及材质的技术要求。 　　关键词 : 　超纯水站 ; 　设计 ; 　工艺 ; 　设备选型 ( ) 中图分类号: TU991. 36 　　文献标识码 : C 　　文章编号 : 1000 - 4602 2001 03 - 0044 - 03 　　清华大学微电子所超纯水站产水用于超大规模 (RO) 加 EDI 装置的新工艺 ,其中 EDI 装置为国内 ( ) 3 第一次使用。系统工艺流程如下 : 集成电路 VL SI 的清洗工艺 ,其产水量为 10 m / h ( ) ( ) 原水→水箱→多介质过滤器→254 nm 紫外线 UV 杀菌装置 → 24 h 运行 。超纯水站原水温度 ≥13 ℃,压力为 一级 RO 装置→二级 RO 装置 →中间水箱 →EDI 装置 →脱氧膜组装 ( 0. 2～0. 5 MPa ,原水水质见表 1 ,产水水质 超滤出 置→氮封纯水箱→185 nm 除 TOCUV 装置 →抛光混床 →超滤装置 ) 口 见表 2 。 →用水点 表 1 　原水水质 该工艺设计与传统工艺的不同之处在于精处理 指标 数值 指标 数值 工艺使用了 EDI 装置。传统的混床离子交换再生 K+ (mg/ L) 2 . 51 HCO - (mg/ L) 127. 31 3 时消耗大量酸碱 ,操作管理不便 ,劳动强度大且污染 Na + (mg/ L) 19. 14 Cl - (mg/ L) 23 . 1 2 + - 环境 ,而电渗析是一项新型膜法水处理技术 ,它处理 Ca (mg/ L) 37 . 5