器件的集成.PDF

射频 MEMS-CMOS 器件的集成 Raafat R. Mansour 在过去几十年间，人们已经在半导体制造工艺方 的加速度计和陀螺仪（Gyroscopes ），以及 面取得了巨大的进展。这反过来又使得人们有可 SiTime 公司的真空封装谐振器[7] 。近来， 能将微机电系统（MEMS ）器件与进行驱动、控 Cavendish Kinetic 公司[8]和 WiSpry 公司[9] 推出 制和信号处理的 CMOS 电子电路进行单片集成 其通过 MEMS-CMOS 集成而制作的射频 MEMS [1]-[4] 。现在已经存在一些众所周知的成功的集 开关。虽然用于 MEMS-CMOS 集成的若干种技 成化 MEMS-CMOS 器件的商用实例，这包括 术已经被广泛地用于传感器和加速度计的应用之 Analog Device 公司的 ADXL 加速度计 中，但文献中所报道的大多数有关射频MEMS 的 （accelerometer ）[5]，Texas Instrument 公司的数 工作还是集中在采用传统的表面微机械加工的器 字微镜器件（DMD ）[6]，STMicroelectrons 公司 件方面。 本文的目的就是要为射频研究人员提供 ______________________________________________________________________________________ Raafat R. Mansour (rrmansour@uwaterloo.ca) is with the University of Waterloo, Waterloo, Ontario, Canada. January/February 2013 IEEE microwave magazine 39 采用MEMS-CMOS 单片集成也同样可 种主要类型：1）在 CMOS 制造工艺开始之前完 以实现具有自适应式闭环位置检测控制 成MEMS 的制作工艺，2 ）将MEMS 的制作工艺 与 CMOS 的制作工艺相合并，3 ）MEMS 制作工 的射频MEMS 器件。 艺是在 CMOS 电路制作完成之后，以及 4 ） MEMS 是嵌入 CMOS 后段制作（BOEL ）层的后 将 MEMS 与 CMOS 相集成而服务于射频 MEMS 处理工艺之中的。为了不使 CMOS 电子电路的特 应用的这种潜力的一个综述。 性发生劣化，人们会向MEMS 制作工艺施加一些 原本，人们已经采用了诸如芯片-到- 圆晶片 约束，因此，所采用的集成方法对于能够实现的 粘接（C2W ），圆晶片- 到- 圆晶片的粘接 MEMS 结构的类型具有重大影响。文献[1]-[4]给 （W2W ）， 或任何其它的圆晶片堆叠以及三维 出了一个很好的、很详细的综述，特别是对于前 （3-D ）集成工艺这样的混合集成技术来将 三种集成方法。近来，人们就这个论题已经发表 MEMS 与CMOS 相集成。迄今为止，在市面上仍 了若干篇文章。接下来的章节对上面这四种集成 有许多采用混合方法的 MEMS-CMOS 产品[10]。 方法进行了一个简要介绍。 这是一个模块化的方法，不需要太多的开发工作， 因为这种方法允许对 MEMS 器件和 CMOS 电路 在 CMOS 之前进行集成的方法（Pre- 进行