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第6章 内存储器及其管理 6.1 存储器概述 6.2 半导体存储器 6.3 半导体存储器在微机系统中的应用 6.4 IBM PC/XT的存储器 6.1 存储器概述 6.1.1 存储器的分类 1. 按存取速度和在计算机系统中的地位分类 主存储器（简称：主存）、辅助存储器（简称：辅存） 2. 按存储介质和作用机理分类 磁存储器、光学存储器、半导体存储器 3. 按存取方式分类 读/写存储器RAM 、只读存储器ROM 6.1.2 选择存储器的考虑因素 （1）易失性：断电后信息是否丢失。 （2 ）只读性：只能读出ROM ；可读可写RAM 。 （3 ）容量：容量越大越好。 （4 ）速度：用存储器访问时间来衡量。 （5 ）功耗：功耗与速度成正比。 （6 ）可靠性：决定于管脚的接触、插件的接触及存储器模块的复杂性。 （7 ）价格：存储器本身价格和外围附加电路价格。 6.2 半导体存储器 6.2.1 半导体存储器的分类 ECL 射极偶合逻辑 双极型 IIL 电流注人式逻辑 可读/写存 高速TTL 肖特基TTL逻辑 储器RAM 静态RAM （SRAM ）：掉电保护 MOS 动态RAM （DRAM ）：靠电容存储电荷，故要刷新 掩模的ROM ：只能读不能写 只读存储 PROM （可编程ROM ）：只能写一次 器ROM EPROM （可擦可编程ROM ）：多次写 （用紫外线和21V 电压） 2 E PROM （电可擦可编程ROM ）：在线进行多次写 RAM性能比较 双极型 静态RAM 动态RAM 集成度 低 中 高 功耗 大 中 小 速度 快 中 慢 成度最高：动态RAM • 在RAM 中： 功耗最小：动态RAM 速度最快：双极型ECL集 • 集成度与功耗成反比，速度与功耗成正比。 6.2.2 可读/写存储器RAM 1. 静态RAM （SRAM ） 如：6264 （8K x 8 ） 8K=213 （1）A0 ~ A12 —— 地址线 （2 ）D0 ~ D7 —— 数据线 （3 ）OE —— 读信号 （4 ）WE —— 写信号 （5 ）CS1、CS2 —— 片选信号 CS1 CS2 OE WE 工作方式 0 1 0 1 读