9化学气相沉积1.pptxVIP

化学气相沉积 第 9 章 2 基本概念 化学气相沉积发展历程 化学气相沉积基本原理 化学气相沉积合成方法的适用范围 化学气相沉积工艺及设备 化学气相沉积工艺参数 化学气相沉积方法应用举例 目 录 3 4 化学气相沉积是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 从气相中析出的固体的形态主要有下列几种： 在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒 在气体中生成粒子 5 CVD技术的分类 6 常用三种CVD技术优缺点 沉积方式 优点 缺点 APCVD 反应器结构简单 沉积速率快 低温沉积 阶梯覆盖能差 粒子污染 LPCVD 高纯度 阶梯覆盖能力极佳 产量高 适合于大规模生产 高温沉积 低沉积速率 PECVD 低温制程 高沉积速率 阶梯覆盖性好 化学污染 粒子污染 7 8 20世纪60-70年代用于集成电路 9 10 CVD是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。 用于CVD技术的通常有如下所述几种反应类型。 CVD是一种材料表面改性技术。它利用气相间的反应，在不改变基体材料的成分和不削弱的基体材料的强度条件下，赋予材料表面一些特殊的性能。 11 12 CVD技术的热动力学原理 化学气相沉积的五个主要步骤： (a)反应物扩散通过界面边界层； (b)反应物吸附在基片的表面； (c)化学沉积反应发生； (d) 部分生成物扩散通过界面边界层； (e)生成物与反应物进入主气流里，并离开系统 CVD反应是由这五个主要步骤所构成的。因为进行这五个的发生顺序成串联，因此CVD反应的速率取决于步骤，将由这五个步骤里面最慢的一个来决定 13 1.输送现象 热能传递主要有传导、对流、辐射三种方式 热传导方式来进行基片加热的装置 单位面积能量传递= 热传导是固体中热传递的主要方式，是将基片置于经加热的晶座上面，借着能量在热导体间的传导，来达到基片加热的目的 14 单位面积的能量辐射=Er=hr（Ts1- Ts2） 物体因自身温度而具有向外发射能量的本领，这种热传递的方式叫做热辐射。利用热源的热辐射来加热，是另一种常用的方法 . 15 对流传热是流体通过自身各部的宏观流动实现热量传递的过程，它主要借着流体的流动而产生。 两种常见的流体流动方式 单位面积的能量辐射=Econ=hc（Ts1- Ts2） 16 体流经固定表面时所形成的边界层δ及δ与移动方向x之间的关系 边界层的厚度δ，与反应器的设计及流体的流速有关 CVD设计倾向于层流流动 x是流体在固体表面顺着流动方向移动的距离 17 CVD反应物从主气流里往基片表面扩散时反应物在边界层两端所形成的浓度梯度 18 CVD动力学 显示以TEOS为反应气体的CVDSiO2沉积的沉积速率与温度之间的关系曲线 基本上CVDSiO2的沉积速率，将随着温度的上升而增加。但当温度超过某一个范围之后，温度对沉积速率的影响将变得迟缓且不明显 19 ◆ 前者成为沉积薄膜的一部分；后者将同样利用扩散效应来通过边界层并进入主气流里。 CVD过程总结 ◆ CVD反应的进行，涉及到能量、动量、及质量的传递。 ◆ 反应气体是借着扩散效应，来通过主气流与基片之间的边界层，以便将反应气体传递到基片的表面。 ◆ 因能量传递而受热的基片，将提供反应气体足够的能量进行化学反应，并生成固态的沉积物以及其它气态的副产物 20 21 化学气相沉积作为20世纪60年代初前后迅速发展起来的一种无机材料制备技术，由于他设备简单，成本低廉，因而广泛用于高纯物质的制备、合成新晶体及沉积多种单晶态、多晶态无机功能薄膜材料。 随着半导体工业的发展，物理气相沉积被广泛运用于金属镀膜中。 22 ◆用CVD涂覆刀具能有效地控制在车、铣和钻孔过程中出现的磨损，主要应用于硬质台金刀具和高速钢刀具。 ◆使用的涂层为高耐磨性的碳化物、氮化物、碳氮化合物、氧化物和硼化物等涂层。 ◆ TiN与金属的亲和力小，抗粘附能力和抗月牙形磨损性能比TiC涂层优越，因此，刀具上广泛使用的是TiN涂层。 切削工具方面的应用 23 模具方面应用 CVD技术在工模具上的推广应用，对提高工模具的表面性能和使用寿命是个突破。 金属材料在成形时，会产生高的机械应力和物理应力，采用该技术后，CVD的TiN涂层作为表面保护层。 H13钢制造的铝型材挤压模经PCVD强化后，可提高模具耐磨性，防止模具划伤，提高模具使用寿命 1O0～30O％，并可改善产品表面质量 24 在许多特殊环境中使用的材料往往需要有涂层保护，以使其具有耐磨，耐腐蚀，耐高温氧化和耐辐射等功能。 在耐