新型磁驱动增大检测电容高精度MEMS 惯性传感器研究.pdf

第 期 电 子 学 报 ５ Ｖｏｌ．３８ Ｎｏ．５ 年 月 ２０１０ ５ ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｍａｙ ２０１０ 新型磁驱动增大检测电容的高精度 ＭＥＭＳ惯性传感器研究 ， １２ ２ ３ １ 董林玺 ，焦继伟 ，颜海霞 ，孙玲玲 （ 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室，浙江杭州 ； １． ３１００１８ 中科院传感技术国家重点实验室，上海 ； 东芝水电设备有限公司，浙江杭州 ） ２． ２０００５０３． ３１１５０４ 摘 要： 增大传感器振子的质量和静态测试电容可以减小电容式ＭＥＭＳ惯性传感系统的噪声，而深度粒子反应 刻蚀工艺由于复杂的工艺原因，当深宽比较大时，不能刻蚀出大质量和大初始电容的传感器 据此，本文研究了一种磁 ． 驱动增大检测电容的ＭＥＭＳ惯性传感器，通过电磁驱动器，传感器的静态测试电容可以大幅增加，在梳齿电容上刻蚀 阻尼槽后，其机械噪声达到 每根号赫兹，仿真其共振频率为 ，静态位移灵敏度为 每重力加速度，基 ０６１ｇ ５９８Ｈｚ ０７ｍ μ μ 于硅 玻璃键合工艺，制作了栅形条电容式惯性传感器，并用电磁驱动的方式测试其品质因子达到 ，从而验证了制  ７１５ 作工艺的可行性和电磁驱动器改变传感器初始静态测试电容的可行性． 关键词： 电容式加速度计；惯性传感器；高精度；深度粒子反应刻蚀 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ４３ Ａ ０３７２２１１２２０１００５１０５３０５ ＡＮｏｖｅｌＭＥＭＳＩｎｅｒｔｉａｌＳｅｎｓｏｒｗｉｔｈｔｈｅＡｃｔｕａｔｏｒｓＤｒｉｖｅｄｂｙＬｏｒｅｎｔｚＦｏｒｃｅ ｆｏｒＩｎｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅＩｎｉｔｉａｌＳｅｎｓｉｎｇＣａｐａｃｉｔａｎｃｅ ， １２ ２ ３ １ ， ， ， ＤＯＮＧＬｉｎｘｉ ＪＩＡＯＪｉｗｅｉＹＡＮＨａｉｘｉａＳＵＮＬｉｎｇｌｉｎｇ （ ， ， ， ， ； １ＫｅｙＬａｂ