第2节晶体三极管.pptVIP

复习与提问 课后思考和练习 * 什么是PN结？ PN结最重要导电特性是什么？ 第二节 晶体三极管 一、晶体三极管的结构和类型 二、晶体三极管的放大作用* 三、晶体三极管的特性曲线 四、晶体三极管的主要参数 有NPN和PNP两种结构类型。核心部分都是两个PN结。 3AX31 3DG6 3AD6 (a)外形示意图 一、 晶体管的结构和类型 N N P c b e SiO2绝缘层 (b) NPN硅管结构图 N c b e P N型锗 铟球 铟球 (c) PNP锗管结构图 PNP型 c集电极 b基极 集电区 P N基区 发射区 P 集电结 发射结 e发射极 (a) PNP型 e b c NPN型 c集电极 b基极 集电区 N P基区 发射区 N 集电结 发射结 e发射极 (b) NPN型 e b c 三极管在结构上的两个特点： (1)掺杂浓度：发射区集电区基区； (2)基区必须很薄。 二、晶体三极管的放大作用 内部条件 外部条件 发射结正偏，集电结反偏。 电路接法：共基接法 N P N VEE VCC iB Rc Re iE iC b e c 共射接法 Rb VBB VCC Rc iB iC b e c N P N uBE uCE iE uBC + + + － － － 1、晶体管内部载流子的运动 发射区向基区注入电子的过程 电子在基区中的扩散过程 电子被集电极收集的过程 iB iC iE VCC VBB Rb N P N (a) 载流子运动情况 iB’ iE iCn ICBO iE iB Rb VBB VCC iC (b)各极电流分配情况 晶体管中的电流 iEn iEp iB’ iCn ICBO 2、晶体管的电流分配关系 iB’ iE iCn ICBO iE iB Rb VBB VCC iC (b)各极电流分配情况 ICBO 称反向饱和电流 令： ICEO 称穿透电流 系数 代表iB对iC的控制作用的大小， 越大，控制作用越强。 电流iC由两部分组成： 一部分是ICEO，它是iB=0时流经集电极与发射极的电流，称为穿透电流。 另一部分是 ，它表示iC中受基极电流iB控制的部分。 3、晶体管的放大作用 晶体管放大作用的本质： iB对iC或iE对iC的控制作用。 输入信号 负载 VEE VCC e c b iE iC 晶体管共基电路 iB iC 输入 信号 负载 VCC VBB 晶体管共射电路 晶体管的共射电流放大系数 整理可得： ICBO 称反向饱和电流 ICEO 称穿透电流 （1）共射直流电流放大系数 （2）共射交流电流放大系数 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + 共发射极接法 三、晶体管的共射特性曲线 iB=f(uBE)? UCE=const (2) 当uCE≥1V时， uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，在同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 uCE = 0V uCE ? 1V uBE /V + - b c e 共射极放大电路 UBB UCC uBE iC iB + - uCE 饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(uCE)? IB=const 2、输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于死区电压，集电结反偏。 放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 三极管的参数分为三大类: 1、电流放大系数 （1）共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? UCE=const 四、晶体管的主要参数 ? =?iC/?iB?UCE=const （2）共发射极交流电流放大系数 集电极基极间反向饱和电流ICBO 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2、极间反向电流 (1)最大集电极耗散功率PCM PCM= iCuCE 3、极限参数 (2)最大集电极电流ICM (3)反向击穿电压 ? UCBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压。 ? U EBO——集电极开