半导体工艺制造技术,维纳尺度工程第四章+氧化.pdfVIP

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2017-05-31 发布于浙江
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半导体工艺制造技术,维纳尺度工程第四章+氧化.pdf

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半导体工艺制造技术,维纳尺度工程第四章氧化

第四章氧化 4.1 SiO 的性质、结构及应用 2 4.2 氧化工艺 4.3 热氧化生长动力学水平式氧化炉 4.4 氧化速率的影响因素 4.5 热氧化过程中的杂质再分布 4.6 Si-SiO 界面特性 2 4.7 氧化物的分析表征立式氧化炉 4.1 SiO 的性质、结构及应用 2 密度： 3 o 一般为2.20g/cm （无定形，一般用称量法测量）；熔点1700 C左右折射率：是波长的函数，5500Å左右时为1.46，密度较大则折射率较大；电阻率：高温干氧氧化法制备的SiO 电阻率高达1016Ω·cm；禁带宽度E =8 eV 2 g 介电强度：单位厚度的SiO 所能承受的最小击穿电压，与致密程度、均匀性、杂 2 6 7 质含量等因素有关，一般为10 -10 V/cm ；化学性质：非常稳定，室温下只与氢氟酸发生反应： SiO + 4HF → SiF + 2H O 2 4 2 SiO + 6HF → H (SiF ) + 2H O 2 2 6 2 SiF + 2HF → H (SiF ) 4 2 6 Si表面生长的覆盖性好： Si表面生长的覆盖性好：非常良好的扩散掩膜材料：杂质扩散系数： D D SiO2 Si 非常良好的刻蚀掩膜材料： SiO 原子结构 2 中心是Si原子，四个顶点上是O原子，顶角上的4个O原子正好与Si原子的4个价电子形成共价键 相邻的Si-O 四面体是靠Si-O-Si键桥连接 熔融SiO 中，某些氧原子与两个硅原子形成 2 共价键，称为桥键氧；某些氧原子只与一个硅原子形成共价键，成为非桥键氧（悬挂键） 桥键氧数目越多，网络结合越紧密，网络的强度是桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数 SiO 二维结构 2 结晶形SiO2 （水晶）无定形SiO2  由Si-O 四面体在空间规则排列构成