晶圓切割機 表面粗度儀.doc

實驗三：晶圓切割機 表面粗度儀 第三組組員: 謝呈彥 張弘智 黃先明 蔡佳怡 晶圓切割機 半導體前段製程半導體後段製程導線架* 半導體前段製程 半導體後段製程 導線架 *蝕刻/沖壓 晶圓材料 *晶圓成長 *切割 晶圓製造 *氧化 *光罩校準 *蝕刻 *雜質擴散 *離子植入 *氣相沉積 *晶片針測 光罩 *光罩製作 IC設計 *邏輯設計 *線路設計 *圖形設計 IC封裝 *晶圓切割 *黏晶 *焊線 *封膠 *剪切成型 *印字 *檢測 IC測試 *進料檢驗 *晶片測試 *外觀檢測 *烘烤 *入庫檢驗 其中半導體製程的步驟之一:晶圓切割機。利用此機台將我們所需的晶圓切割成適當大小，以便製造IC元件。 ※主要原理及步驟: 機台外觀及操作按鈕: 學習晶圓切割機讓我們對半導體製程有初步的認識，除了在儀器操作方面需要花點時間去找尋水平標準線以外，剩餘的操作都是簡單易懂。除了切割晶圓以外，最常使用的就是切割載玻片，換置另一種刀片即可進行切割動作，不同的材質一定要使用不同的切割刀，由於刀片也會因為使用次數多寡而磨損，再操作時要特別注意，磨損太過於嚴重一定要更換新的刀片，以免再切割時有火花及燒焦味產生，進行實驗也可以一邊觀察切割情形，如有不妥可以立即中止，避免浪費試片。 表面粗度儀 此儀器可以量測元件或材料表面的粗糙程度，利用探針劃過基材，就可以掃描出高低情況，進而推算基材表面塗佈的材料膜厚大小，進行相關研究探討。表面粗度儀操作步驟更簡易，介面設計非常人性化，可以輕易學習機台操作並當場認證，是所有機台中最容易上手操作，不過由於機台本身不可以晃動，所以在機台附近加裝壓克力板，避免人為重力而影響機台的水平，如此影響實驗數據。測膜厚有很多種儀器可以測定，但是每一種儀器都有最適當測量材料，像表面粗度儀不太適合材料本身具有較大黏滯性，黏滯性太高碳針在移動時會將材料刮除，會破壞材料，所以不適合用粗度儀，可改用橢偏儀或AFM。以下針對表面粗度儀作簡單的介紹。 ※機台外貌: ※簡單操作步驟: 將試片放置機台上，並旋入探針光源下 (注意：探針下針，必須要在試片表面上) 按下鈕,機座上升，直至試片碰觸探針頭後停止，再將探針往上跳升一下 （避免因為調整試片時候磨損探針頭） 於機座的左下方有兩各旋鈕，其中： a：x stage control knob是調整x軸方向即調整左右 b：是調整y軸方向即調整上下，則利用此兩旋鈕將試片旋至 欲測之區域 按【ESC/MEANU】鍵，設定參數 A.RECIPE VIEW/MODIFY 設定水平與垂直參數 ※水平參數： 1.Horizontal Units：Metric/English（單位） 2.Scan Length：欲掃描長度之設定 3.Scan Speed：欲掃描探針速度之設定 4.Scan Time：掃描時間（Length/ Time） 5.Sampling Rate：取樣頻率（每秒探針所掃的次數） 6.Horiz. Resol.：解析度；即探針每秒所掃之長度/Sampling Rate，亦即每次之間的距離間隔（當間隔越小，所測的數值愈準確） 7.Direction：欲掃描之方向 ：由左到右 ：由右到左 ※垂直參數： 1.Vertical Units：Metric/English（單位） 2.V. Range/Resol.：欲掃描之試片高度差之範圍選擇 a.13?m/1A：此選擇可測為試片的高度在6.5?m內 b.300?m/15A：此選擇可測為試片的高度在300?m內 3.Profile Type：掃描之後顯示的圖形 a. ：適合任何高低起伏的形狀（建議使用） b. ：只適合掃凸起物 c. ：只適合掃凹下物 4.V. Display Scale：顯示圖形的尺寸大小，選AUTO（建議值） 只能動水平與垂直參數其它都不能任意變更 5. 數據處理與存檔：可以存成三種檔案，PDF檔、 TXT檔 、軟體本身有另外一種檔案(只適用有灌軟體的電腦，否則無法讀取資料）。