GB/T 14146-1993硅外延层载流子浓度测定　汞探针电容-电压法.pdf

中华人民共和 国国家标准 硅外延层载流子浓度测定 汞探针 电容一电压法 GB/T 14146一93 Silicon.epitaxiallayers-Determinationofcarrierconcentration- Mercuryprobe Valtage-capacitancemethod 1 主题内容与适用范围 本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。 本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。测量范围为10;1^,10;,cm-, 2 方法原理 汞探针与硅外延片表面接触，形成一个肖特基势垒 在汞探针一与硅外延片之间加一反向偏压，结的 势垒宽度向外延层中扩展。结的势垒电容(C)及其随电j}(V)的变化率(do/dv)与势垒扩展宽度(，) 和其相应的载流子浓度CN(x)〕有如下关系: N (x)二 … (1) ,EOEA 卜ddoz. = E .E ·AIC 。。.〔2 式中:二-一势垒扩展宽度PM; N(x)— 载流子浓度，cm , e— 电子电荷1.602X10-,C; :— 硅的相对介电常数，其值为11.75; ‘-一真空介电常数，其值为8.859X10-,F/cm; A一一汞一硅接触面积,cm20 :?要测得(,dc/d。和A，便可由式(1)和式(2)计算得到势垒扩展宽度二处的N(c) 3 试剂与材料 3.1 氢氟酸(p1.15g/mL)，化学纯 3.2 硝酸(p1.45g/ML)，化学纯。 cm (25C) 3.3 去离子水，电阻率大于2Mn · 3.月 汞 纯度大于99.99%o 3.5 氮气，纯度大于99.5%a 国家技术监督局1993一02一06批准 1993一10一0，实施 GB/T 14146一93 4 测量仪器 4.飞 电容仪或电容电桥 量程为1^-1000pF,其精度不低于1。级 测垦频率为。.L-1M11直流电 压为-1200V,高频交流电压不大于250mV 4.2 数字电压表:其精度不低干。5‘级，输入阻抗大于飞Mn 4.3 直流电源:输出电压为。一200V，连续可调，电压波动小大 1`1%a 4.4 直流电流表:量程为。-2a,,iAo 4.5 标准电容A和B,A和B电容量分别为10pF和100pF，在测量频率 卜其精度不低)-n.2}, 4.6 双筒显微镜:带有测微标尺.长1mm,最小分度值为。.01mm 4.了 试样台:能前后、左右移动。 4.8 也可选用自动测量仪器。该仪器除满足4.1-4.4条各项要求外.还应当符合: a.低频交流电压的频率要小于测量电容所用的高频交流电压的频率l师; b. 测量时低频交流电压值不低于10倍的高频交流电压值; 。. do/d。的测量误差最大为1_2l; d. 反向电流密度可到30kA/mm，反向电流密度上升速率为3kA/V-mm=时.测量能正常进 行 5 试验样品 51试样处理 通常对试样进行直接测量，若不能进行正常测量时，可对试样表面进行处理。 a， 用氢氟酸腐蚀试样30、 b.用去离子水洗净 c. 在硝酸中煮沸10min d 用去离子水洗净、甩干 在温度150^-200-C氮气流里烘干10min 也可代替本条中C-e操作，将试样在温度约450C的电炉 烘烤10min 6 jQg量步骤 6门 测量环境 温度为23土ZC，相对湿度不大于6500，实验室应有电磁屏蔽.工频电源应有滤波装皆.周围无腐蚀 气氛及震动，试样应配有遮光装置 6.2 电容仪的校准 6.2门