第2章集成电路材料结构与理论.ppt

* * 2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 * * 2.3.1 PN结的扩散与漂移 由于两种半导体内带电粒子的正、负电荷相等，所以半导体内呈电中性。 图2.2 PN结的形成 * * 扩散运动 由于PN结交界面两边的载流子浓度有很大的差别，载流子就要从浓度大的区域向浓度小的区域扩散：P区中的空穴向N区扩散，在P区中留下带负电荷的受主杂质离子；而N区中的电子向P区扩散，在N区中留下带正电荷的施主杂质离子。在紧靠接触面两边形成了数值相等、符号相反的一层很薄的空间电荷区，称为耗尽层，这就是PN结。 * * 图2.3 平衡状态下的PN结 在耗尽区中正负离子形成了一个电场ε，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区的。这个电场一方面阻止扩散运动的继续进行，另一方面，将产生漂移运动，即进入空间电荷区的空穴在内建电场ε作用下向P区漂移，自由电子向N区漂移。漂移运动和扩散运动方向相反。动态平衡时，扩散电流和漂移电流大小相等、方向相反，流过PN结的总电流为零。 扩散电流 漂移电流 扩散：浓度差 漂移：电场 * * 2.3.2 PN结型二极管 (a) (b) (c) 图2.4 PN结二极管原理性结构(a) 符号(b)与I-V特性曲线(c) * * PN结电学特性 具有单向导电性，即正向外加电压作用下，电流呈指数规律急剧增加； 在反向电压作用下，最多只有一个很小的反向电流流通。 * * 2.3.3 肖特基结二极管 图2.5 金属与半导体接触 金属与掺杂半导体接触形成的肖特基二极管的工作原理 基于GaAs和InP的MESFET和HEMT器件中，其金属栅极与沟道材料之间形成的结就属于肖特基结。因此，它们的等效电路中通常至少包含栅-源和栅-漏两个肖特基结二极管。 * * 2.3.4 欧姆型接触 在半导体器件与集成电路制造过程中，半导体元器件引出电极与半导体材料的接触也是一种金属-半导体结。但是我们希望这些结具有双向低欧姆电阻值的导电特性，也就是说，这些结应当是欧姆型接触，或者说，这里不应存在阻挡载流子运动的“结”。工程中，这种欧姆接触通过对接触区半导体的重掺杂来实现。理论根据是：通过对半导体材料重掺杂，使集中于半导体一侧的结（金属中有更大量的自由电子）变得如此之薄，以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输。 * * 2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 * * 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 由于晶体管有两个PN结，所以它有四种不同的运用状态。 （1）发射结正偏，集电结反偏时，为放大工作状态； （2）发射结正偏，集电结也正偏时，为饱和工作状态； （3）发射结反偏，集电结也反偏时，为截止工作状态； （4）发射结反偏，集电结正偏时，为反向工作状态。 * * 电流放大作用 发射结的注入 基区中的输运与复合 和集电区的收集 电子电流 双极型晶体管的放大作用就用正向电流放大倍数βF来描述,βF定义为： βF =IC/IB * * 2.5 MOS晶体管的基本结构与工作原理 图2.8　MOS管的物理结构与电路符号 欧姆接触 * * 工作原理：如果没有任何外加偏置电压，这时，从漏到源是两个背对背的二极管。它们之间所能流过的电流就是二极管的反向漏电流。在栅电极下没有导电沟道形成。如果把源漏和衬底接地，在栅上加一足够高的正电压，从静电学的观点看，这一正的栅电压将要排斥栅下的P型衬底中的可动的空穴电荷而吸引电子。电子在表面聚集到一定浓度时，栅下的P型层将变成N型层，即呈现反型。N反型层与源漏两端的N型扩散层连通，就形成以电子为载流子的导电沟道。 * * 引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压VT。 往往用离子注入技术改变沟道区的掺杂浓度，从而改变阈值电压。 阈值电压 VT * * 改变阈值电压 对NMOS晶体管而言，注入P型杂质，将使阈值电压增加。反之，注入N型杂质将使阈值电压降低。 如果注入剂量足够大，可使器件沟道区反型变成N型的。这时，要在栅上加负电压，才能减少沟道中电子浓度，或消除沟道，使器件截止。在这种情况下，阈值电压变成负的电压，称其为夹断