第8章直流稳压电源.pptVIP

图 01.12 二极管的伏安特性曲线 8.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线 (1) 正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.2 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 (2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 8.2.3 半导体二极管的参数 半导体二极管的几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UB——— 和最大反向工作电压UR 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UB。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 UR一般只按反向击穿电压 UB的一半计算。 (3) 反向电流IR (4) 正向压降UF 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.7V；锗二极管约0.3V。 8.2.4 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 半导体二极管图片 8.2.5 特殊二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图01.14所示。 特殊二极管包括稳压管、光电二极管、 发光二极管等，下面着重介绍稳压二极管。 图 01.14 稳压二极管的伏安特性 (a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路 (b) (c) (a) 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 例1： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例2： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 动画 第八章 直流稳压电源 8.3 直流稳压电源的组成 8.4 整流电路 8.5 滤波电路 8.6 稳压电路 现实生活当中，需要直流电源的地方很多。 电子设备中 需要直流电源供电（小功率） 直流电源的来源？？？ 干电池 由交流市电变为直流电的各种半导体电源（直流稳压电源） 直流稳压电源的框图： 交流电源 变压器 整流 滤波 稳压 负载 直流电动机 需要直流电源供电（大功率） 8.3 直流稳压电源的组成 1. 电路组成 2. 工作原理 分析前提：理想变压器，理想二极管 U2 为正半周： V1 V2 V3 V4 RL u0 U2 U1 I0 a b a V1 RL V3 b V2 V4 截止 t U0 U2 为负半周： b V2 RL V4 a V1 V3 截止 变压器 变比 8.4 整流电路 V1 V2 V3 V4 RL u0 U2 U1 I0 a b 流过每只二极管的平均电流： 二极管承受的最高反向电压： 3. 参数计算 因为每两个二极管串联轮换导通半个周期，因此，每个二极管中流过的平均电流只有负载电流的一半。 例： 有一单相桥式整流电路