太阳能电池相关材料介绍.pptVIP

海洋气象监测标 家庭灯具电源 如庭院灯、路灯、手提灯、野营灯、登山灯、垂钓灯、黑光灯、割胶灯、节能灯等。 光伏电站 10KW-50MW独立光伏电站、风光（柴）互补电站、各种大型停车厂充电站等。 5.非晶硅太阳电池 5.1 发展历史 1975年, Spear和Lecomber用辉光放电法制备出性能优良的非晶硅（a-Si）薄膜 1976年, RCA 实验室的CarlsonD.E 和WronskiC.R 利用氢化非晶硅制作出了第一个非晶硅太阳能电池 20世纪80年代, 非晶硅太阳能电池的转换效率和稳定性获得了重要突破，面积0.5m2、转换效率5％以下的非晶硅太阳能电池组件是当时市场主流 20世纪90年代, 低转换效率和稳定性差的问题得到进一步解决，叠层非晶硅太阳能电池得到了发展，面积为1m2和效率为6％左右的非晶硅太阳能电池，成为非晶硅太阳能电池市场的新主流 21世纪初，美国、日本的一些非晶硅太阳能电池制造商开发出具有非晶硅／微晶硅和非晶硅／非晶硅锗结构的叠层太阳能电池产品投放市场，产品的单一组件面积超过1m2 ，转换效率为7％ 2005年前后，一些制造商研制成功了集成型非晶硅薄膜太阳能电池组件，产品的转换效率进一步提高到了7.5％ ～8％，产品的面积达到1.5m2，成为目前非晶硅太阳能电池产品的主流 2006年下半年，美国应用材料公司采用8.5 代设备集成了规模为40ＭＷ的单结非晶硅太阳能电池生产线，所生产的面积为5.72m2 的光伏组件产品，转换效率达到了6％ a-Si 是Si-H(约10％)的一种合金。 5.2 非晶硅制备方法及结构特性 等离子体辅助（PE）CVD、LPCVD、微波电子回旋共振（MW-ECR）CVD、甚高频（VHF）CVD 反应气体：硅烷（SiH4）、氢气（H2） 长程无序，短程有序（共价键长度变化约2%，键角变化约10%）； 非晶硅-氫合金（a-Si∶H），常称为氫化非晶硅 电子迁移率低：a-Si∶H中电子迁移率的典型值达到了5～10 cm2/(V-s)，单晶硅的电子迁移率约为1400 cm2/(V-s) a-Si∶H的一个重大缺点就是其性能不稳定，即具有一种所谓亚稳特性（因为在a-Si∶H结构中存在着较弱的Si-Si键（键能约为1eV）、以及悬挂键和氫键） 5.3 非晶硅太阳电池结构及特点 因为：轻掺杂的非晶硅的费米能级移动较小，如果两边都是轻掺杂的或一边是轻掺杂的另一边是重掺杂的材料，则能带弯曲较小，电池的开路电压受到限制； 如果直接用重掺杂的p+和n+材料形成p+-n+结，那么，由于重掺杂非晶硅材料中缺陷密度较高，少子寿命低，电池的性能会很差。因此，通常在两个重掺杂层当中沉积一层未掺杂的非晶硅层作为有源层集电区。 非晶硅太阳能电池内光生载流子主要产生于未掺杂的i层，与晶态硅太阳能电池中载流子主要由于扩散而移动不同，在非晶硅太阳能电池中，光生载流子主要依靠太阳能电池内电场作用作漂移运动。 在非晶硅太阳能电池中，顶层的重掺杂层的厚度很薄几乎是半透明的，可以使入射光最大限度地进入未掺杂层并产生自由的光生电子和空穴。而较高的内建电场也基本上从这里展开，使光生载流子产生后立即被扫向n+侧和p+侧。 0.008μm厚的 p型顶层，0.5-1 μm的中间本征层，0.02 μm厚的n型底层。 优点： ① 资源丰富，环境安全； ② 光的吸收系数高，活性层只需要1?m 厚，省材料； ③非晶硅的禁带宽度比单晶硅大。随制备条 件的不同约在1.5-2.0eV的范围内变化，制成的非晶硅太阳能电池的开路电压高。。 ④ 电池/组件一次完成，生产程序简单。 缺点： ①效率低； ②不稳定－ 光致衰退(S-W效应)。 非晶硅光吸收特性 非晶硅具有较高的光吸收系数.特别是在0.3-0.75um 的可见光波段,它的吸收系数比单晶硅要高出一个数量级.因而它比单晶硅对太阳能辐射的吸收率要高40倍左右, 用很薄的非晶硅膜(约1um厚)就能吸收90%有用的太阳能.这是非晶硅材料最重要的特点,也是它能够成为低价格太阳能电池的最主要因素. a-Si薄膜在强光（通常是一个标准太阳 的光强，100mW／cm2）下照射数小 时，光电导逐渐下降，光照后暗电导可下降几个数量级并保持相对稳定；光照的样品在160℃下退火，电导可恢复原值，这就是有名的Staebler-Wronski效应，简称SWF。 非晶硅太阳电池的光致衰退 由于S-W效应，非晶硅太阳能电池在光照后，非晶硅膜中缺陷态密度增加，导致电池内的光生电子和