2009半导体物理试卷-A卷答案.docVIP

电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 A卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 复核人签名 得分 签名 一、选择题（共25分，共 25题，每题1 分） 1、本征半导体是指（ A ）的半导体。 A. 不含杂质和缺陷 B. 电阻率最高 C. 电子密度和空穴密度相等 D. 电子密度与本征载流子密度相等 2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（ D ）。 A. 不含施主杂质 B. 不含受主杂质 C. 不含任何杂质 D. 处于绝对零度 3、对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（ D ）。 A. 单调上升 B. 单调下降 C. 经过一个极小值趋近Ei D. 经过一个极大值趋近Ei 4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（ C ）。 A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体 5、公式中的是半导体载流子的（ C ）。 A. 迁移时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散时间 6、下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（ A ） A. 含硼1×1015cm-3的硅 B. 含磷1×1016cm-3的硅 C. 含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅 D. 纯净的硅 7、室温下，如在半导体Si中，同时掺有1×1014cm-3的硼和1.1×1015cm-3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级为（ G ）。将该半导体由室温度升至570K，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级为（ I ）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3；570K时，ni≈2×1017cm-3） A、1×1014cm-3 B、1×1015cm-3 C、1.1×1015cm-3 D、2.25×105cm-3 E、1.2×1015cm-3 F、2×1017cm-3 G、高于Ei H、低于Ei I、等于Ei 8、最有效的复合中心能级位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（ C ）附近，常见的是（ E ）陷阱。 A、EA B、ED C、EF D、Ei E、少子 F、多子 9、MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（ B ），若增加掺杂浓度，其开启电压将（ C ）。 A、相同 B、不同 C、增加 D、减少 10、对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（ D ）。 A、平衡载流子浓度成正比 B、非平衡载流子浓度成正比 C、平衡载流子浓度成反比 D、非平衡载流子浓度成反比 11、可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（ A ） A、n型 B、p型 C、本征型 D、高度补偿型 12、如在半导体中以长声学波为主要散射机构是，电子的迁移率与温度的（ B ）。 A、平方成正比 B、次方成反比 C、平方成反比 D、次方成正比 13、为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（ A ）。 A、【100】 B、【111】 C、【110】 D、【111】或【110】 14、简并半导体是指（ A ）的半导体。 A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0