第12讲器件光电性能测试技术.pptx

第12讲 半导体器件测试技术 中南大学物理与电子学院先进材料超微结构与超快过程研究所 2015-6-9 主 讲：周聪华 Company Logo 内容提要 一、概述 二、PN结 三、晶体管 四、参考文献与课后习题 Company Logo 一、概述 太阳能电池 (photovoltaic cells) 发光二极管(LED) (light emitting diode) 场效应晶体管 (Field effect transistor) 1.1 半导体器件 一、概述 半导体 器 件 1.1 半导体器件 能带结构与金属不同 半导体 导 体 载流子属性与金属不同 半导体彼此间接触后形成结的电学属性与常见欧姆接触不同 一、概述 1.2 欧姆特性 线性IV特性！ 一、概述 1.3 半导体 从能级结构角度 Ef Ek k 半导体能级（态）密度分布(DOS) 芯能级 导带底 LUMO 一、概述 1.3 半导体 本征状态 导带- 电子空带 价带- 空穴空带 空带不能导电！ Ef Ek Eg 一、概述 1.3 半导体 激发状态 一、概述 1.3 半导体 硅和锗的共价键结构：本征状态 从材料结构角度 一、概述 1.3 半导体 硅和锗的共价键结构：被激发状态 从材料结构角度 电子-空穴对！ 激子，exciton Wannier激子 Frenkel激子 一、概述 1.3 半导体 电子、空穴的移动 空穴： 真实存在 其移动往往通过电子的运动来体现 一、概述 1.3 半导体 电子、空穴的移动 外场驱动下，电子、空穴反向移动！！！ 一、概述 1.4 P型半导体 P型掺杂：产生正电荷-空穴 Efp Ek Eg 价带顶 导带底 材料结构 能级空间 多子：空穴 一、概述 1.4 P型半导体 N型掺杂：产生负电荷-电子 Efn Ek Eg 价带顶 导带底 材料结构 能级空间 多子：电子 二、PN结 空间电荷区： 电荷互扩散、复合形成 2.1 PN结的形成 二、PN结 2.2 PN结电学特性 PN结加正向电压：正偏压 正偏： 利于多子扩散，电流大，随电压增加快速。 烧毁 二、PN结 2.2 PN结电学特性 PN结加反向电压：反偏压 反偏： 利于少子漂移，电流小，随电压增加缓慢。 电荷加速，碰撞晶格，击穿 Company Logo 数字源表 + - 未知电学器件 数字源表 伏安特性扫描装置 普通金属界面、 PN结、 太阳能电池 1，双电极/四电极（并联降低接触电阻） 2，电极在给出电压的同时，读取电流 3，扫描方式：全自动 4，测量电流范围：nA~A 二、PN结 2.3 伏安特性扫描 Company Logo O I V PN结电流-电压（IV）曲线 O I V 欧姆特性 二、PN结 2.3 伏安特性扫描 典型扫描结果 Company Logo 三、 Shockley 1947: The first transistor was invented by William Shockley group (Shockley, Bardeen and Brattain). 1956: Shockley, Bardeen and Brattain were given the Nobel prize. Bardeen Brattain 三、晶体管特性曲线测试 3.1 简介 Company Logo 三、晶体管特性曲线测试 3.1 简介 Company Logo 四核的Core i7拥有7.31亿个晶体管，核心面积为2.70cm2. 三、晶体管特性曲线测试 3.1 简介 Company Logo L W 三、晶体管特性曲线测试 3.1 简介 Company Logo 场效应迁移率μ：反应载流子在半导体中的迁移能力， 决定器件运行速度。单位：cm2/Vs 器件的Ion/off ： 器件开/关态时IDS 的比值，反映器件 对电流的调制能力。 亚阈值摆幅(S)：表征器件由关态转换到开态时电流 的变化速度，反映了器件在关态、 开态间切换所需电压的跨度。 单位：mV/decade 三、晶体管特性曲线测试 3.2 重要参数 Company Logo 半导体参数分析仪（Keithley-SCS 4200） (1) 器件参数测试 (2)嵌入PC机,实时绘图与分析。 (3)数据自