Ga和Cu／In衬底上电沉积金属Ga.pdfVIP

物理化学学~(WuliHuaxueXuebao) August ActaP ．一Chim．Sin．2012，28(8)，1913-1922 1913 A【rticle] doi：10．3866／PKU．W HXB201205153 www．whxb．pku．edu．cn Ga和Cu／In衬底上 电沉积金属Ga 张 超 敖建平 王 利 姜 韬 孙国忠 何 青 周志强 孙 云 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室， 光电信息技术科学教育部重点实验室，天津300071) 摘要： 在酸性水溶液中，分别在金属Ga和Cu／In衬底上进行了Ga电沉积的研究．用循环伏安法研究了导电 盐、pH值对电沉积Ga的影响．系统研究了Ga的沉积过程，发现Ga会逐渐向薄膜内部扩散，在Cu／In界面上与 Culn合金反应生成CuGaz合金．针对Cu／In薄膜和Ga薄膜是活泼金属的特点．在溶液中加入三乙醇胺有效地 保护了Cu／In薄膜和Ga金属薄膜不被氧化，并且提高了Ga沉积的电流效率．在Cu／In薄膜上制备出了均匀光 亮的金属Ga薄膜．对电沉积出Cu-In—Ga预置层进行了硒化处理，得到了质量较好的Cu(In Ga)Se(CIGS)薄 膜。并制备了太阳电池．电池效率达到了9．42％． 关键词： 电化学沉积：Cu(In Ga)Se：循环伏安法：金属预置层：太阳电池 中图分类号：0646 EIectrOdepositiedGallium onGallium andCopper／Indium Substrates ZHANG Chao AO Jian-Ping WANG Li JIANGTao SUN Guo—Zhong HEQing ZHOUZhi-Qiang SUNYun (KeyLaboratoryofOpotelectronicInformationTechnology,MinistryofEducation，TianjinKeyLaboraotryofPhoot．Electronic ThinFilmDevicesandTechnology,InstituteofPhoot—ElectronicThniFilmDevicesandTechnique,NankaiUniversity, Tianjin300071，PR．China) Abstract： We investigate the electrodeposition ofgallium metallic precursoron gallium and Cu／In substratesfrOm acidicaqueoussolutions．TheeffectofthesupposingelectrolyteandthesolutionpHvalue fortheelectrodepositionofGa isinvestigatedbycyclicvoltammetry．DuringGaelectrodeposition，gallium graduallydiffusesintothef¨m，andreactswithCulnalloytoproduceCuGa2altheCu／Ininterface．W euse triethanolaminetOprotecttheCu／InandGafilmsfrOm beingoxidized．andlhusthisimprovesthecurrent efficiencyofGa-electrodeposition．The Cu-In·Gafilmsare annealed in anS