ZnS∶Co半导体量子点的制备及其光电化学性质.pdfVIP

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) 244 ActaP S．一Chim．Sin．，2010，26(1)：244—248 January [Article】 WWW．whxb．pku．edu．cn ZnS：Co半导体量子点的制备及其光电化学性质 杨 旭 周 宏 沈 彬 ， 张 玲 (东南大学化学化工学院，南京 211189； 南京晓庄学院生物化工与环境工程学院，南京 211171) 摘要： 采用低温水热技术，分别以柠檬酸(CA)和巯基丙酸(MPA)为稳定剂，在 70℃的水相中合成了单分散的， 粒子尺寸约为4nm的ZnS：Co半导体量子点．研究了稳定剂 、Co掺杂剂及其掺杂量对掺杂量子点发光性能和 结构的影响．XRD结果表明，co离子主要掺杂在量子点表面，对主体ZnS晶格没有影响．当采用MPA为稳定 剂，掺杂量为5％(摩尔分数)时，掺杂量子点的荧光发射强度最高；而同样掺杂量下采用CA为稳定剂时，量子 点的荧光发射强度有所下降．循环伏安研究显示，与空白ZnS量子点相比，Co2+N子的掺杂在ZnS的禁带中形成 杂质能级，相应地，ZnS：Co量子点的吸收边发生红移．与未掺杂ZnS量子点相比，掺杂量子点具有较少的表面非 辐射复合中心，因而荧光发射强度显著提高． 关键词： 光致发光；ZnS：Co；量子点：掺杂；制备； 电化学 中图分类号： 0649 Synthesisand0ptoelectrochem icalPropertiesofZnS：CoSemiconductor Quantum Dots YANG Xu ZHOU Hong SHEN Bin ZHANG Ling (SchoolofChemistryandChemicalEngineering，SoutheastUniversity,Nanjing 211189,P．R．China；2Biochemicaland EnvironmentalEngineeringCollege，NanjingXiaozhuangUniversiyt,Nanjing 211171，P．R．China) Abstract： Co“dopedZnSsemiconductorquantum dots(QDs)weresynthesizedinanaqueoussolutionat7O℃ usingcitricacid(CA)ormercaptopropionicacid(MPA)asastabilizer．Theas—preparedundopedandtheCo doped ZnSquantumdots(QDs)werecharacterizedbyUV—Visspectrum，photoluminescence(PL)spectrum，X—raypowder diffraction(XRD)，cyclicvoltammetry，andtransmissionelecrtonmicroscopy(TEM)．Westudiedhtedependenceofhte dopedZnSquantum dotsphotoluminescenceonthedopantandthedopantconcentration．Resultsshow htatCo iO／IS aredopedmainlyontheZnSnanocrystalSsurfaceandasaresult，theband—edgeandsurfacedefectemissionsofthe ZnSquanutm dotsaresubstitutedbyaCo*-relatedPLemi ssion．Thebestphotolumi nescenceintensitywasobtained forme5％(molar