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ZnS:Co^2+半导体纳米晶的制备及性能研究

第22卷第5期 化 学 研 究 与应 月{ Vo1.22.No.5 2010年 5月 ChemicalResearchandApplication May,2010 文章编号:1004—1656(2010)05—0605-04 ZnS:Co2+半导体纳米晶的制备及性能研究 张锦瑾 ,余 萍’,陈思应,谢瑞士 (四川大学材料科学与工程学院,成都 610064) 关键词:ZnS:Co¨;巯基乙酸;紫外.可见吸收光谱 中图分类号:0614.2 文献标识码:A PreparationandChraacterizationofZnS:Co2SemiconductorNanocrystals ZHANGJin-jin,YUPing,CttENsi—ying,XIERui—shi (CollegeofMaterialsScienceandEngineering,SichuanUniversity,Chengdu610064,China) Abstract:ZnS:Co“ nanocrysta/swerepreparedinaqueoussolution byboth one—step and two—step methods . TheSurfaceofthe preparedZnS:Co“nanocrystalswasmodifiedbymercaptoaceticacid(TGA).TheUV—visabsorptionspectroscopywasemployedas adirectprobetodetectthelocationofCo2 dopantinZnS:ConanocrystalsThetransitionofCo ” T1 . (F)_+T1E(P)wasobserved £ from theZnS:Co“nanocrystalsderivedbytheone·stepsample, andtheCo”A2(F) T】(P)transitionWasdetectedfromthe ZnS:Co nanocrystalsderivedbythetwo—stepsample.TheresultsindicatethatCo existedonthesurfaceinsteadofinthelattice ofZnSnanocrystalsderivde byhteone-stepmethod.AndforthoseZnS:Co。 nanocrystalsbyusingthetwo—stepmethod Co ’were , CO—precipitatde inhtelatticeofZnSnanocrystals.Andadditionally.theband gapofthelatticeCO.precipitateddopedZnS:Co nanocrystMsWas narrowerthanhtepure ZnSsamples. Keywords:ZnS:Co“;mercaptoaceticacid;UV—visba soprtionspectroscopy 半导体纳米晶,由于其具有量子尺寸效应、介 发光时间之后,过渡金属掺杂半导体纳米晶引起 电限域效应、表面效应等而表现出一系列特殊

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