ZnSnO_3透明导电薄膜：溶胶-凝胶法制备及性能.pdfVIP

第 28卷第 3期 无 机 化 学 学 报 Vo1．28No．3 2012年 3月 CHINESEJ0URNALOFIN0RGANICCHEMISTRY 437．444 ZnSnO3透明导电薄膜 ：溶胶一凝胶法制备及性能 季伶俐 1 贺蕴秋 -l12 李 乐1 1同济大学材料科学与工程学院，上海 200092) (同济大学先进土木工程材料教育部重点实验室，上海 20092) 摘要：采用溶胶一凝~(So1．Ge1)~ 和旋涂法制备了Zn—Sn．O系统薄膜。通过对干凝胶的热重一差示扫描同步热分析fTG．DSC1． 研究了干凝胶在烧结过程中的反应历程。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(xPs1、场发射扫描电镜(FE．SEM1以及紫外一 可见透过率(uv．Vis)等表征了烧结后薄膜的晶相、晶格缺陷、微观形貌以及紫外一可见光透过率。本文还研究了烧结温度、N气 氛热处理 以及组成变化对薄膜 电阻率的影响，结果表 明：偏锡酸锌 ZnSnO 晶体薄膜具有较低的电阻率 ；当n (n+n ：50．3at％ 时，薄膜的电阻率达极小值 ，约为 8．0xl0zQ ·am。偏锡酸锌 ZnSnO 晶体的导电机理研究表明：晶格 中间隙阳离子含量 的增加有 利于薄膜电阻率的降低，而氧空位的形成则使其 电阻率升高。薄膜的紫外一可见光透过率(uv—Vis)表明：偏锡酸锌 ZnSnO 晶体薄 膜在 400900nm的可见光波段透过率可达 8O％以上 关键词：ZnSnO，；薄膜；溶胶一凝胶法；透明性；导电材料 中图分类号：0614．241；0614．43+2 文献标识码：A 文章编号：1001．4861(2012)03．0437．08 TransparentandConductivePropertiesofZnSn03CrystalFilms PreparedbySol-GelM ethod JILing—Li HEYun—Qiu，’ LILe (SchoolofMaterialScienceandEngineering,TongjiUniversity,Shnaghai200092，China) (2KeyLaboratoryofAdvancedCivilEngineeringMaterialsofJ]ln f ofEducation,rongiUniversity,Shnaghai200092，China) Abstract：TheZn-S·n—-0 system thinfilmswerefabricatedbysol-g·elprocessandspincoatingtechniqueon silica glasses．Thereaction ofdrygelduringsinteringwascharacterizedby Themogravimetry—DifferentialScanning Calorimetrysynchronousthermalanalysis(TG-DSC)．Andthecrystallinephases，thedefects，themorphologyandthe transmittanceoffilmsaftersinteringinairwerecharacterizedbyXRD，XPS，FE—SEM andUV—Vis．Theresistivityof thefilmsisaffectedbythesintefingtemperatureinair，thetreatmentinN2andthefilm composition．TheZnSnO3 crystalhasalowresistivityandtheminimumresistivity (about8．0x1021·am)isobtainedwhen (n+sn)isequal to50．3at％．Theelectricpropertytestingresults