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物理化学学~E(WuliHuaxueXuebao) September ActaP ．一Chim．Sin．2011，27(9)，2233-2238 2233 [Article] 1Ⅳ1Ⅳ1，．whxb．pku．edu．cn 具有超疏水表面的硅，二氧化硅层次结构薄膜 王建涛 张晓宏 王 辉 ’ 欧雪梅 (中国科学院理化技术研究所，光化学转换和功能材料重点实验室，北京 100190； 中国科学院研究生院，北京 100049) 摘要： 目前报道的硅基材料的超疏水表面主要是通过制备粗糙微观结构，并在其表面修饰表面能相对较低的 有机物两个步骤来实现的，在户外等实际环境中应用时存在由于表面修饰有机物的降解而逐渐失去超疏水性 的问题．本工作以液态金属锡作为生长衬底，通过化学气相沉积(CVD)法制备了一种具有超疏水性能的硅基薄 膜结构．利用扫描电镜(SEM)，透射电镜(TEM)以及X射线衍射(XRD)等手段对产物的表面形貌和组成结构进 行分析发现，薄膜表面由竖直生长的硅／二氧化~qk(Si／SiO)核壳层次结构组成．采用Cassie理论模型对其超疏 水性能的产生提出了可能的解释．发现构成薄膜表面的SiS／iO层次结构单元的形貌是影响超疏水性能的重要 因素．相对于以前报道的硅基材料的超疏水表面，这种新结构的超疏水性能不依赖于表面化学修饰，有望拓宽 硅基材料的应用环境． 关键词： 超疏水：核壳结构：硅纳米线： 化学气相沉积：薄膜 中图分类号： 0647 Super—HydrophobicS_licon，S¨icaHierarchicalStructureF_lm WANGJian-Tao。。 ZHANG Xiao-Hong’_ WANG Hui’ OUXue—Mei’ cKeyLaboratoryofPhotochemicalConversionandOptoelectronicMaterials．TechnicalInstituteofPhysicsandChemistry, ChineseAcademyofSciences,geijing10019~PR．China； GraduateUniversityofChineseAcademyofSciences, Bejiing100049,PR．China) Abstract： Silicon(si)一basedmaterialswithasuper_hydrophobicSUrfacewerepreparedusingmicroscale rough surfaces．which were subsequently modified by organic compoundswith IOW surface energies． However，the super。hydrophobicity was gradually lostbecause ofthe degradation ofthe organic compoundswhenapplied to anouterenvironment．Herein，aSi．basedfilm witha supe卜hydrOphObic surfacefabricatedbychemicalvapordeposition(CVD)usingaliquidmetal(tin)asthegrowthsubstrateis reposed．Weofundthatthef¨m wascomposedofverticaISi／Si02hierarchicalwiresuponcharacterization byscanningelectronmicroscopy(SEM)，transmissionelectronmicroscopy(TEM)，andX—rayd