苯并噻吩类稠环有机半导体材料的合成及在场效应晶体管中应用研究的进展.pdfVIP

第 27卷 第 5期 应 用 化 学 Vo1．27No．5 2010年 5月 CHINESEJ0URNALOFAPPLIED CHEMISTRY Mav2010 ． 8综合评述$) ＼’ 、． 苯并噻吩类稠环有机半导体材料的合成 及在场效应晶体管中应用研究的进展 张玉梅 裴 坚 (“河北科技大学理学院 石家庄050018；北京大学化学与分子工程学院 北京) 摘 要 总结了苯并噻吩类稠环化合物半导体材料的最新研究进展 ，对其合成方法及结构与性能进行了归 纳，介绍了它们在有机场效应晶体管中的应用，并对其研究和应用前景进行了展望。 关键词 苯并噻吩，有机场效应晶体管，合成 中图分类号：0649．5 文献标识码 ：A 文章编号：1000-0518(2010)05-0497-08 DOI：10．3724／SP．J．1095．2010．90407 自1986年第一个有机场效应晶体管 (OFET)问世以来…，OFET以其 良好的柔韧性、低成本及可制 备大面积器件等优点而受到广泛关注。目前，对其材料性能和器件制备技术均取得 了明显的进步，在 电 子报纸、传感器件、包括射频识别卡在 内的存储器等领域均展现出广泛应用前景。 1 有机场效应晶体管的主要性能指标 OFET最重要参数是场效应迁移率 和电流开关比，。／ 。迁移率越高器件集成电路的比特速率 就越快，对于任何可能的实际应用，要求OFET的迁移率至少达到0．O1cm ／(V·s)，开关比大于 10¨ 。 OFET的迁移率与有机半导体材料的分子结构有关，特别是受分子的共轭性及聚集态堆积所影响 。 OFET在数字 电路、电子纸和OLED显示驱动器等应用 中，开关 比是一个非常关键的参数 ，高性 能OFET材料的场效应迁移率和开关比应尽可能高。因此，合成高迁移率和高稳定性的新型有机半导 体材料成为众多学者的研究方向。 2 有机半导体材料研究进展 OFET用的有机半导体材料按其分子形态可分为聚合物半导体和小分子化合物半导体2种。因为 有机小分子半导体材料可溶于许多有机溶剂，因而具有以下优点：1)通过萃取、吸附和重结晶等手段进 行纯化而获得高纯度材料；2)因分子小，分子的平面性比较规则，因而用其制成的OFET载流子迁移率 高；3)易形成 自组装多晶膜 ，晶格缺陷少，载流子迁移势垒低 ，比较容易得到单晶，可提高其 OFET的场 效应迁移率。 迄今为止，并五苯类稠环线型化合物 (图1)因其分子堆积有序度和迁移率很高而被认为是理想的 图1 并五苯的分子结构 Fig．1 Molecularstructureofpentacene 2009-06—18收稿，2009-10-09修回 通讯联系人 ：张玉梅，女，博士，副教授；E-mail：amyzhang@hebust．edu．cn；研究方向：手性化合物及有机光电材料的合成 498 应 用 化 学 第27卷 小分子有机半导体材料之一。目前，文献报道 所制得OFET的迁移率可高达 1．5～5cm／(V·s)，电流 开关比为 l0。作为有机半导体材料，并五苯的主要缺点是室温下在有机溶剂中溶解性差及易被氧气氧 化，其OFET薄膜制备需要采用真空蒸镀法，相对湿法制膜的工艺复杂，而且蒸镀过程中易发生材料分 子上的氢转移反应，生成杂质，而导致迁移率降低 。 为提高并五苯的稳定性，进一步提高其 OFET的迁移率，对其进行了系统研究 ，认为 良好的 订一订共轭和强的分子问作用力所导致的有效分子堆积性能是高迁移率场效应材料的必要条件，并发现 稠环分子部分碳原子用杂原子取代可使材料具备更优异的场效应性能和稳定性。在并五苯稠环体系中 引入噻吩环后在室温下表现出良好的场效应性能和稳定性，为了获得优于并五苯