EAST壁处理和实验提案.ppt

EAST真空壁处理总结与计划 胡建生、李建刚 真空组、PSI组 2006-01-01 2006夏季实验壁处理总结 等离子体放电前 检漏与抽气 抽气管道烘烤 PFC 和窗口烘烤（240h) N2烘烤 He/H2-GDC 因烘烤和GDC电极绝缘不好，打开真空室，主要分为两个阶段 等离子体放电后 PFC 和窗口烘烤 He-GDC He-ICRF Boronization 检漏与抽气 清洗前，检漏约10天。 分子泵工作后极限真空为8E-4Pa 低温泵启动后真空变化由8E-4Pa减低到2E-4Pa。 在整轮实验中无法处理漏气 在夹层烘烤后夹层泄漏； 凯装加热丝慢泄漏； 其它？ 抽气管道烘烤 在低温泵启动前，烘烤温度120OC，约1个星期。 后因为怀疑其对低温泵运行的影响，降低温度至50OC，并维持到实验结束。 需要确定抽气管道烘烤是否真的影响低温泵运行； 需要进一步提高温度； PFC 和窗口烘烤 PFC最高温度~150度； 窗口温度最高为~120度； 在放电期间和辉光时停止PFC烘烤； 效果非常明显，尤其是对水的影响最为突出。 缺点： 系统不能长时间烘烤，需要在PFC和窗口之间切换； 最高温度并不高； 温度不均匀，最高温度在~150度时，最低温度~70度，平均温度不高； 真空室内壁的温度估计接近于室温（夹层充N2）； 窗口烘烤并不能达到法兰、远距离管道（如在上下窗口）。 典型的PFC和窗口烘烤时气体压强变化 夹层N2烘烤 在16个小时内，进气温度由119度上升到173.5度，出口温度由52.3上升到125.5度，真空度由6.5E-5上升到3.4E-4Pa，效果非常明显。 直流辉光（GDC） 放电前H2-GDC累积为37小时，He-GDC累积为4小时； H2-GDC对多数杂质的清洗效果明显，但对水似乎影响较小，主要是因为有限的烘烤水平，在水作为主要的杂质并且无法有效抽出的情况下，GDC的意义不大，需要加大烘烤力度。 放电期间He-GDC为主。 装置漏气影响He-GDC清洗效果，主要表现在清洗结束后不长的时间内O2很快积累。 已经改进 绝缘问题； 电极漏气问题。 硼化 三次硼化有效地改善了器壁状态，有利于等离子体放电。 ICR 一次 完成硼化前He-ICR清洗； 因天线原因，没有彻底完成硼化； 硼化后没有有效清洗。 GDC 两次 易熄灭。 主要问题 硼气化温度没有掌握好，三次硼气化温度都不一样（主要是测温问题），无法提前获得进气时间，对进气难以控制，导致瞬间进气量太大，使得放电熄灭。 装置漏气影响硼化效果。 不同壁处理过程中气体分压 上轮实验中壁处理过程中存在的主要问题 关键问题是漏气 导致其它壁处理效果不明显； 数据难以处理。 烘烤 夹层投入晚； PFC和窗口烘烤不持续、温度不高； 抽气管道烘烤温度低。 GDC系统绝缘和漏气，导致部分电极无法使用。 ICRF天线损伤，ICR清洗无法进行。 硼化温度没有很好掌握。 已经改进措施 检漏 夹层：两处硼化水管泄露已经处理； 窗口加热丝：多根凯装加热丝更换成陶瓷绝缘的加热丝； … ICRF天线修复； GDC电极修复； 硼加热温度测量？ 上轮实验壁处理的总结 最大限度确保装置没有漏气。 保持PFC和窗口烘烤的同时，加强N2烘烤，保持在合理的最高温度。 利用低温泵对水等气体的大抽速，将装置内水气降低到足够低地水平。 在水气已经较少时，在加强N2烘烤的同时，采用H2-GDC来处理器壁上可能吸附的氧（包括氧化层等）、油等，使得氧和油处于很低水平。 根据残气情况，H2-GDC与低温泵抽气间交替进行。 用He-GDC来清除装置内存留的H2。 硼化等。 本轮实验中壁清洗实验 主要内容 烘烤：不同阶段 He(H2)-GDC,He(H2)-ICR:不同阶段 O-ICR(GDC)：实验结束前后 要求：GDC和ICR清洗保持相同的壁温，~150OC。 目标: 摸索EAST最佳壁处理方式； 获得有效壁处理数据，与HT-7装置实验结果比较（with/without graphite tiles) 。 限制器与偏滤器下ICR清洗的区别。 为后续实验提供数据积累。 本轮实验前期壁处理 12/28开始烘烤； 夹层烘烤温度： 12/28~1/2(4.5days) 120~140OC； 1/2 降低烘烤温度 1/2~1/9(7.5days) 80~100OC； 抽气管道烘烤温度 12/28~1/4(6.5days) 120~150OC; 1/4 ~ 20~30OC。 窗口烘烤温度120OC； 在He-GDC时仅停止窗口烘烤，保持夹层、抽气管道烘烤； He-GDC（到1/9 16:00 共计44hours) Typical He-GDC 实验目的 1、射频清洗的效果:对杂质粒子和H的清除率，与气压、功率的关系。