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工艺技术与材料 Process Technique and Materials 抛光垫表面特性分析 1 1 1 1 1 2 苏建修 , 傅宇 , 杜家熙 , 陈锡渠 , 张学良 , 郭东明 ( 1 河南科技学院 , 河南 新乡 453003 ; 2 大连理工大学 精密与特种加工教育部重点实验室 , 辽宁 大连 116024) 摘要 : 研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光 (CMP) 材料的去除机理及 优化抛光垫的微观结构 。使用 ZYGO 5022 轮廓仪 、SEM 等仪器研究了 IC1000/ SubaIV 平抛光垫表 面粗糙度 、表面组织结构 、孔隙率 、微孔深度及直径 、抛光垫表面微凸峰分布形式及面积支承 σ ( ) μ μ 率 , 测量和计算的结果 : 抛光垫表面粗糙度为 p RMS = 68 m , 均方根粗糙度 94 m , 表 面孔 隙率为 56 % , 平均孔径为36 μ , 平均孔深为20 μ , 平均孔距为43 μ , 微孔数量为 m m m 550 个/ mm2 , 抛光垫表面微凸峰高度服从高斯分布 。 关键词 : 化学机械抛光 ; 材料去除机理 ; 高分子材料 ; 抛光垫 ; 表面特性 中图分类号: TN3052 ; TB324 　　文献标识码 : A 　　文章编号: 1003353X (2007) Analysis of Surface Characteristics of Polishing Pad SU Jianxiu1 , FU Yu1 , DU Jiaxi1 , CHEN Xiqu1 , ZHAN G Xueliang1 , GUO Dongming2 ( 1Henan Institute of Science and Technology , X inxiang 453003 , China ; 2 Key L ab. f or Precision and N onTraditional M achining Technology of Ministry of Education , Dalian University of Technology , Dalian 116024 , China) Abstract : Studying the surface characteristics of polishing pad help s to understand and analyze the chemical mechanical polishing ( CMP) mechanism and optimize the micr