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新型表面活性剂对低磨料铜化学机械抛光液性能的影响 1 1, 1, 2 1 1 1 1 李炎 ，刘玉岭 *，李洪波 ，唐继英 ，樊世燕 ，闫辰奇 ，张金 （1.河北工业大学微电子研究所，天津 300130 ；2.河北联合大学信息工程学院，河北 唐山 063000 ） 摘要：介绍了一种用于铜膜化学机械抛光的多元胺醇型非离子 slight impact on the viscosity of polishing solution after 表面活性剂。研究了该表面活性剂对抛光液表面张力、黏度、 storage for 24 h. The chemical-mechanical polishing rate as 粒径、抛光速率和抛光后铜的表面状态的影响。抛光液的基本 well as the roughness of polished surface are reduced with 组成和工艺条件为：SiO 0.5% ，H O 0.5% ，FA/OII 型螯合剂 the increasing of surfactant content in the range of 0%-2%. 2 2 2 5% (以上均为体积分数)，工作压力2 psi ，抛头转速60 r/min ， Keywords: copper; chemical-mechanical polishing; nonionic 抛盘转速65 r/min ，抛光液流量150 mL/min，抛光时间3 min ， surfactant; surface tension; viscosity; particle size 抛光温度21 °C 。结果表明，微量表面活性剂的加入能显著降低 First-author’s address: Institute of Microelectronic 抛光液的表面张力并大幅提高抛光液的稳定性，但对静置24 h Technique and Materials, Hebei University of Technology, 后抛光液黏度的影响不大。表面活性剂含量为0% ~ 2%时，随 Tianjin 300130, China 其含量增大，化学机械抛光速率减小，抛光面的粗糙度降低。 关键词：铜；化学机械抛光；非离子表面活性剂；表面张力； 以集成电路(IC)为核心的微电子技术是现代信息 黏度；粒径 社会的基石，目前已进入极大规模(GLSI)阶段，单个 中图分类号：TN43; TN47 文献标志码：A 芯片上集成元器件已达数十亿。化学机械抛光(CMP) 文章编号：1004 – 227X (2014) 08 – 0325 – 05 技术是目前唯一能实现多层铜布线全局平坦化的技 Effect of a novel surfactant on performance of chemical-mechanical polishing solution used for 术。铜的 CMP 技术作为 GLSI 制备的核心技术之一， copper with low abrasive content // LI Yan, LIU 随特征尺寸的进一步缩小，表面加工精度和难度增大， Yu-ling*, LI Hong-bo, TANG Ji-ying, FAN Shi-yan, YAN 铜的 CMP 愈显重要[1-3] 。含非离子表面活性剂的低磨 Chen-qi, ZHANG Jin 料碱性抛光液