微波高功率固态放大器技术综述.PDF

ＤＯＩ：１０．１３８７８／ ｊ．ｃｎｋｉ．ｊｎｕｉｓｔ．２０１７．０１．００２ 韩江安 　 马凯学１ ２ 微波高功率固态放大器技术综述 摘要 ０　 引言 微波集成电路在民用和军用电子中 起到至关重要的作用．在微波集成电路 　 　 微波集成电路技术是无线系统小型化的关键技术．在毫米波集成 领域，高功率的功率放大器为发射机提 电路中，高性能且设计紧凑的功率放大器芯片电路是市场迫切需求 供足够的信号功率输送到自由空间中， 是其不可缺少的关键部件．基于学术研 的产品．总的来说，微波功率放大器的芯片性能很大程度上取决于制 究和商用产品线情况，综述了微波功率 造工艺，而每种工艺对功率放大器有着不同的特点或优势．对于工作 放大器芯片的发展情况．首先讨论了各 频率不高于１００ ＧＨｚ 的芯片而言，砷化镓和氮化镓材料具有功率方面 种微波毫米波功率放大器的制造技术， ［１⁃２］ 按照半导体器件可以归类为砷化镓、氮 的优势 ．如果频率作为器件的首要考虑，那么选用磷化铟器件制作 化镓、互补金属氧化物半导体和锗化硅 ［３］ 的功率放大器其频率可以高到５００ ＧＨｚ 以上 ．当然，对于工业制造 等；接着讨论了微波芯片功放的设计技 来说，产品的成本也是功率放大器设计以及量产的重要因素，特别是 术用以满足高功率、宽带和高效率的指 标要求；最后总结了各类微波固态功率 对于消费电子产品类，互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）利于片上系统 放大器的工艺和设计技术，为芯片设计 集成，因此具有成本优势．从应用场景来看，毫米波芯片工作于不同的 人员提供了全面的设计参考． 频率有着不同的要求，比如在 Ｋａ 波段的２６５～４０ ＧＨｚ，目前主要用 关键词 微波；毫米波；功率放大器；集成电 于卫星和中长距点对点通信，大功率是这个波段功率放大器的首要 路；固态电路；功率合成 指标，因而氮化镓和砷化镓的功率放大器芯片是首选．对于６０ ＧＨｚ而 言，由于电磁波在该频率的衰减很大，主要潜在应用于短距离的高速 中图分类号 ＴＮ７２２７５ 文献标志码 Ａ 通信并面向消费电子市场，因而成本较低的ＣＭＯＳ半导体和锗化硅器 ［４］ 件是未来该频段芯片设计的首选 ．在本篇综述中，首先将比较毫米 波固态电路芯片制造的基础工艺；然后针对不同的设计指标，介绍了 相应的解决方案，包括设计构架和功率半导体芯片的设计思路；最后 比较了各种功率放大器的工艺特点和设计方法，希望能为该领域的 研发工作提供直观的设计参考． １　 微波芯片制造技术 １１　 砷化镓 当前砷化镓工艺包含两大类器件工艺：赝调制掺杂异质结场效 收稿日期 ２０１６⁃１２⁃０３ 资助项目 国家自然科学基金 应晶体管（ｐＨＥＭＴ）和应变高电子迁移率晶体管（ｍＨＥＭＴ）．其中 作者简介 ｐＨＥＭＴ 的商用程度要高于ｍＨＥＭＴ器件．在商用领域，比较知名的公 韩江安，男，博