石英晶体的特性.PDF

石英晶體的特性石英晶體的特性 石英晶體的特性石英晶體的特性 壓電效應對石英晶體的影響壓電效應對石英晶體的影響 壓電效應對壓電效應對石英晶體的影響石英晶體的影響 石英晶體片有一個特質當壓力應用於晶體軸的方向、電會更改在石英晶體片上或相反，電力應用於石 英晶體片，晶體片內會有失真。 因此，這就是為什麼我們叫它是壓電石英晶體的影響。 晶體的等效電路晶體的等效電路 晶體的等效電路晶體的等效電路 石英晶體的等效電路顯示解釋關於晶體特徵和性能的基本元素。它包括的元素有動態電容C1 、電感 L1 、系列電阻 R1 和分支的電容 C0 。前三個參數被稱為石英晶體元素的動態參數。請參見圖 1 圖1 串聯諧振串聯諧振(Fs) 串聯諧振串聯諧振 當晶體在串聯共振 (Fs) 下運行時，它看起來在電路中電阻。因此，在共振阻抗是幾乎為零。在一個 好的設計系列諧振回路，相關性不是一個問題和負載電容不必指定。請參見圖2 圖2 並聯諧振並聯諧振 並聯諧振並聯諧振 當晶體並聯共振下運行時(Fs Fl Fa) ，它看起來電感在電路中。因此，負載電容的作用是非常重要 的選擇穩定點振盪。在並聯電路的設計負載的電容 CL 應有規定。請參見圖 3 Figure 3 AT 切割切割和和 BT 切割切割晶體之間的差異晶體之間的差異 切切割割和和 切切割割晶體之間的差異晶體之間的差異 AT 切割的晶體和 BT 切割的晶體是擁有不同的切割角度 (AT 切是35 度與BT 切是 49 度) 。這兩個類 型具有相同的振動模式(厚薄切變) 。但是，用BT 切割50 兆赫的晶體片是稍厚（2mils ）相比其 AT 切 割(1.3mils) 。在AT 切割和 BT 切割會有不同溫度與頻率曲線。 （請參見圖 4 、 5 及 6 ） Figure 4. AT 切頻率溫度曲線 Figure 5. 在AT 切割晶體典型溫度特性 Figure 6. 在BT 切割典型晶體的溫度特性 AT 厚度減少與厚度減少與 BT 切切割割晶體晶體 厚度減少與厚度減少與 切切割割晶體晶體 晶體單元的定義晶體單元的定義 晶體單元的定義晶體單元的定義 晶體單元晶體單元 晶體單元晶體單元 有一個外殼包的石英晶體 (二氧化矽) 或晶體帶真空镀金屬電極和終端連接的情況。它廣泛用於電子的 被動元件為行動電話、無線設備、電信設備、 個人電腦和其他數位設備。 頻率頻率 頻率頻率 每秒有多少個波形的週期輸出 。該單位的頻率為每秒週期，或稱赫茲，簡稱赫 。 基諧振動模式基諧振動模式 基諧振動模式基諧振動模式 晶體的主要模式。它也被稱為第一泛音。 泛音振動模式泛音振動模式 泛音泛音振動模式振動模式 奇數在指定的頻率振盪模式的指定條款。第三泛音模式標準，其次是第五，第七，第九，等頻率不完 全三，五，七，或基頻的九倍。 頻率公差頻率公差 頻率公差頻率公差 這是指允許頻率偏差數以百萬計的百萬分率 （ppm ）通常在室溫 + 25Cº 。 頻率穩定度頻率穩定度 頻率穩定度頻率穩定度 這指的是允許的最大頻率偏差在指定的溫度範圍內(+25Cº)相比的測量頻率，如 -10 ~ + 70 Cº 。 等效串聯電阻等效串聯電阻 等效串聯電阻等效串聯電阻 阻抗的值在操作時會出現在晶體諧振電路。 並聯電容並聯電容 並聯電容並聯電容 並聯電容(C0)是在晶體之間的電容端子。它附在包裝內，表面貼封裝通常是比較小(4pF 典型值) ，插腳 的封裝約6pF 。 負載電容負載電容 負載電容負載電容 這指的是在的晶體外部電容和電容量量度或通過 PCB 上的晶體終端。晶體在並行模式下負載電容是需 要指定使用的。 如果應用程式需要的串聯共振頻率晶體，負載電容，並不是一個因素，並不需要指 定。 負載電容的計算公式如下： 絕緣電阻絕緣電阻 絕緣電阻絕緣電阻 晶體腳部之間的電阻, 或腳部及鉛外件 (金屬外殼) 之間。它測試在直流電壓100V ±15V 的和絕緣電阻 是 500 M Ω(最少) 。 驅動電平驅動電平 驅動電平驅動電平 在振盪電路中晶體所經歷的功率消耗的量。電力應用功能是通常表示在毫瓦的。過多的驅動電平將導 致可能長期頻率漂移和不穩定的操作增加老化率或晶體骨折。驅動電平可按以下公式計算： 2 Power = (I rms * RL) 其中是通過晶體單元的有效值，R 是特定晶體單元的最大阻力值。 這個電平方程式