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界面化学基础结业论文 SiC增强铝合金的 界面反应以及控制方法 学号：2006030109 姓名：王少艳 专业：材料学 SiC增强铝合金的界面反应以及控制方法 王少艳 (河北理工大学 研究生学院，河北 唐山 063009) 摘 要:本文介绍了SiC 增强铝合金时存在的界面反应,并根据当今国内外众学者的研究,基本找到了有效控制 SiC 增强铝合金时存在的有害的界面反应,使 SiC 增强的铝合金应用前景更加广泛. 关键字: SiC , Al4C,表面处理 The Formation and Con trol Interface Reaction in SiCp Composite Materials WANG Shao-yan (graduate school of Hebei Polytechnic University, Tangshan in Hebei 063009) Abstract:The present paper has evaluated the recent development in interface reactions of SiCp/Al composite materals.,cientists neaily has found the usefull manner to control the detrimental interface reactions.That is to say , SiCp/Al composite materals will become more and more usefull. Key words: SiC, Al4C,silicon additions and surface treatment. 粉末冶金、熔融金属加工以及气相沉积是当前合成陶瓷 - 金属复合材料的主要方法。在合成陶瓷 - 金属复合材料过程中，涉及了想陶瓷基中熔融金属，此时，陶瓷 - 金属间的化学相容性及金属对陶瓷自发浸润的能力就成为必须考虑的关键问题。为了达到轻重量、高比强度、高比刚度和价格低廉的要求，SiC (颗粒、晶须、纤维) 增强 Al 合金复合材料最有希望获得实际应用，显示了潜在应用前景。然而，由于 SiC 和 Al 之间会发生界面化学反应生成不稳定化合物 Al4C3, 以及活性金属 Al 与导电性较好的惰性材料 SiC 电化耦合发生的电化学腐蚀导致复合材料机械性能降低，甚至过早失效，对 SiC2Al 之间相容性问题的研究引起人们的关注。 从八十年代中期开始，众学者对 SiC 熔融在 Al 中的稳定性、SiC-Al 之间的界面反应，以及 SiC/Al 复合材料的腐蚀行为开展了研究。尽管 SiC/Al 复合材料已于1988 年得到实际应用，但对组元间化学相容性的研究一直持续至今。对SiC-Al 界面反应的研究揭示,当达到933K(即Al熔点)以上，当 SiC 和熔融的 Al接触时，会发生式(1) 所示反应，生成Al4C3： 3SiC(s) + 4Al(l) →Al４C３ (s) + 3Si(s) (1) 虽然经过热力学计算后发现，在合成 SiC/Al 复合材料的温度范围内，该反应的吉布斯自由能的变化为正值(△G0)，但是由于 Si 熔解在熔融 Al 中，实际上该反应是向生成 Al4C3 的方向进行。为了防止 Al4C3 的生成，降低加工过程温度和涂覆 SiC 增强相以防止SiC 和 Al 直接接触是目前采取的主要途径。然而，SiC/Al 系统从不浸润到浸润的转变温度是982℃，在低温下 SiC/Al 系统不良的浸润会造成复合材料中存在孔隙和夹杂；采用涂层材料虽然防止了 Al4C3 的生成，但是在界面上其它化合物的生成难以避免。对SiC/Al 金属基复合材料，由于 SiC 含量一般小于50vol%，界面上生成的 Al4C3 被包裹在金属相中不致造成严重危害。然而，对陶瓷基及层状复合材料，一般来说，SiC 含量大于50vol%，Al4C3 暴露于环境中一旦发生水解将导致复合材料失效。因而，防止 Al4C3 生成是 SiC/Al 复合材料合成过程中中的关键所在。 张永俐，罗素华针对 SiC/Al 复合材料中 SiC 含量大于50vol% ，因而必须防止 Al4C3 生成的特点，系统研究了添加 Si 对抑制 Al4C3 生成的作用和对反应动力学的影响，以及加工温度对 Al4C3 生成的影响；探讨了在 SiC/Al 系统中生成Al4C3 的机理。结果表明，在 SiC/Al 系统中，升高加工温度有利于 Al4C3 生成；添加Si于 Al 中使 SiC/Al 之间生成 Al4C3 的化学反应得到有效控制并明显影响其反应速度；SiC 在 Al 中的溶解和 C 在熔融 Al 中的扩散是生成