硅基表面无形貌改变的硫酸 过氧化氢氧化清洗.pdfVIP

第 3 1 卷第 5 期 武 　汉 　工 　程 　大 　学 　学 　报 Vol . 3 1 　No . 5 　　　　 2009 年 05 月 J . 　Wuhan 　In st . 　Tech . May 　2009 　　　 文章编号 (2009) 05000 103 硅基表面无形貌改变的硫酸 /过氧化氢氧化清洗 1 1 2 1 毛强强 ,文 　路 ,刘宏芳 ,刘善堂 ( 1. 武汉工程大学化工与制药学院 ,绿色化工过程省部共建教育部重点实验室 , 湖北省新型反应器与绿色化学工艺重点实验室 ,湖北 武汉 430074 ; 2 . 华中科技大学化学与化工学院 ,材料化学与服务失效湖北省重点实验室 ,湖北 武汉 430074) 摘 　要 :提出了一种利用硫酸/ 过氧化氢溶液氧化清洗硅基的方法. 硅片经超声预清洗后 ,放入硫酸/ 过氧化氢 溶液中 ,80 ℃下氧化清洗其表面的污染物. 通过接触角检测 ,表征了清洗前后硅基表面的亲水性变化. 通过原 ( ) 子力显微镜 A FM 表征了经硫酸/ 过氧化氢溶液清洗后硅基的表面形貌. 结果显示 ,经硫酸/ 过氧化氢溶液亲 ( ) 水化清洗 30 min 后的硅基表面的接触角为 7 . 3 °,显示出很强的亲水性 ,其表面均方根粗糙度 RM S 仅为 n 0 . 03 nm . 因此 ,硫酸/ 过氧化氢氧化清洗法是一种硅基表面无形貌改变的亲水化清洗方法. c 关键词 :硅基 ;化学清洗 ;表面形貌 . 中图分类号 : TN 304 . 1+ 2 　　　文献标识码 :A m 清洗工艺的最佳清洗时间. 0 　引　言 o 1 　实验部分 在硅晶体管和集成电路生产中 , 几乎每道工 c 序都有硅基清洗的问题 ,硅基表面的污染物和微 1. 1 　仪器与试剂 . 粗糙度会严重影响基底器材的性能. 因此国内外 实验所用的基底材料为高掺杂 P 型单晶硅 对硅基清洗工艺的研究成为硅晶片加工及其相关 片 ,购于上海智研电子科技有限公司. 去离子水经 m 科学研究的一个热点[ 16 ] . Tak sha shi[ 5 ] 等研究发 ( ) p装置 U P H Ⅱ10 型优普超纯水机 净化后使用 , 现 ,使用 p H 为 9 的氢氰酸水溶液清洗硅基 ,可以 电阻率为 18 . 00 MΩ ·cm . 其余试剂包括 :氟化铵 , 9 2 s 甲苯 , 丙酮 , 过氧化