厘米级单晶石墨烯的可控生长方法.pdfVIP

物理化学学~ (WuliHuaxueXuebao) 8l0 ActaP ．一Chim．Sin．2016，32(4)，810—810 April [Highlight] doi：10．3866／PKU．WHXB201603012 www．whxb．pku．edu．cn 厘米级单晶石墨烯的可控生长方法 刘忠范 (北京大学化学与分子工程学院，北京大学纳米化学研究中心，北京 100871) 石墨烯是一种 由 杂化 的碳原子构成 的六元 量通入微量的氧气，能够精确控制石墨烯成核密 碳环为基本单位的蜂窝状二维原子晶体 。自发现 以 度和生长速率 。他们通过对 比实验发现，微量氧 来受到了物理、化学和材料科学界的广泛关注，相 气能在富氢环境中刻蚀基底表面 的石墨烯 。调节 关性能的研究取得 了飞速进展 。值得关注 的是 ， 氢气和氧气的比例能够连续控制刻蚀速率，这种 它超高的电子传输速率有望让这种材料成为下一代 氧化性刻蚀能够有效降低石墨烯的成核密度 ，调 芯片的理想材料 ，能够制造高频率电子器件 。 节单晶晶畴的生长速率。通过调控 甲烷、氢气和 要实现石墨烯材料高性能的利用价值，需要 氧气合适的比例和浓度，成功地实现了厘米级单 找到合适的大规模制备方法 。 目前，化学气相沉 晶石墨烯的可控生长。 积 (CVD)法相比于其他合成方法具有易规模化、相 王帅等人 的研究结果表 明，通过对气氛 中微 对成本低等优点，是制备大面积、高质量单层石 量氧气的有效控制，可 以实现高质量石墨烯薄膜 墨烯薄膜 的主要合成方法 。该方法通过将 甲烷等 的稳定生长，并且不需要对基底做任何特殊处 含碳前躯体在催化基底表面加热分解形成碳碎 理。需要指出的是 ，厘米级单 晶石墨烯还不能满 片，然后重新组装成二维薄膜 的化学反应过程来 足工业对石墨烯薄膜质量的要求，低成本快速制 生长石墨烯 。研究发现 ，在金属铜箔表面生长可 备晶圆级单晶石墨烯还有许多问题有待解决。 以得到单层大面积多晶石墨烯 ，由不同取 向的单 晶晶畴相互连接而成并产生晶界。通常载流子在 References 石墨烯 中传输时，会在晶界处发生散射，传输速 (1) Novoselov,K．S．；Geim，A．K．；Morozov，S．V；Jiang，D．； Zhang，35；Dubonos，S．V．；Grigorieva，I．V．；Firsov,A．A ． 率降低 。因此减少晶界、提高单晶晶畴的面积是 Science2004，306，666．doi：10．1126／science．1102896 CVD法合成石墨烯 的主要挑战。控制石墨烯的成 (2) Li，X．：Cai， ；An，J．；Kim，S．；Nah，J．；Yang，D．；Piner,R； 核密度是提高单晶晶畴尺寸的有效方法。已有研 Velamakanni，A．；Jung，I．；Tutuc，E．；Banerjee，S．K．；Colombo， 究表明，通过对反应物浓度、生长温度、压力等 L_；Ruoff,R．S．Science2009，324，l3