离子液体电沉积CuInxGa1-xSe2薄膜.pdfVIP

第 30卷第 2期 无 机 化 学 学 报 Vol-30No．2 2014年 2月 CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY 466—472 离子液体电沉积 CulnxGa1Se2薄膜 姬姗姗 梅艳霞 张锦秋 杨培霞 连 叶 安茂忠 f城市水资源与水环境 国家重点实验室，哈尔滨工业大学化工学院，哈尔滨 150001) 摘要 ：采用循环伏安法fCV)对离子液体 Reline中 元 CuC12+InC13+SeC1体系和四元 CuCI：+InC13+GaCI3+SeC1体系 的电化学行 为进行了研究。研究表明，In+并入三元CIS(CuIn．Se)薄膜体系和Ga+并人四元CIGS(Cu—In—Ga—Se)薄膜体系均有两种途径：一是 发生共沉积，二是直接还原。利用电感耦合等离子体发射光谱(ICP)和扫描 电镜(SEM)对沉积电势、镀液温度和主盐浓度对 CIGS 薄膜组成、镀层表面形貌的影响进行了测试 ，结果表明通过工艺参数的选择可以控制 Ga／(Ga+In)~1CIGS薄膜组成并得到化学 计量 比为Cu。n a0 e2I3的薄膜 。 关键词 ：离子液体 ：电化学行为 ；电沉积 ；CIGS薄膜 中图分类号：TM914．4+2；O614．121；O614．37+2；O614．371 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2014)02—0466—07 DoI：10．11862／CJIC．2014．036 FabricationofCulnxGa1Se2ThinFilmsviaElectrOdepOsiti0n M ethodwithIonicLiquidElectrolytes JIShan—Shan MEIYan—Xia ZHANGJin—Qiu YANGPeiX·ia LIANYe ANMao—Zhong (StateKeyLaboratoryofUrbanWaterResourceandEnvironment， SchoolofChemicalEngineeringandTechnology,HarbinInstituteofTechnoloyg,Hrabin150001，China) Abstract：TheelectrochemicalbehaviorofCuInGalSe2(CIGS)wasinvestigatedbycyclicvoltammetry(CV)in ionieliquidReline．Theinsertionofindium fIn1intotheCISthinfilmsinvolvedtworoutes：CO．depositionwith Cu andSeortrivalentindiumion(In。+)．Theinsertionofgallium (Ga)intothequaternarysolidphase(Cu—In—Ga— Se1utilizedtworoutes：CO—deposition fwithCu ，In ，Se 1andGa directlyaddedtoGa．Theeffectsof electrodepositionpotential，bath temperatureandmain saltconcentrationon CIGSthin filmswereresearched． Cu100In078Gao ． 凹Se213thinfilmswereobtainedandsatisfactorycontroloffilm compositionandGa／(Ga+In)was achieved bythe choiceofprocessparameters．Thestandard CIGS samplewascalibrated by an inductively coupledplasmaopticalemission．Themorphologicalpropertiesweredetectedb