聚酰亚胺表面钝化工艺.pdfVIP

第24卷第1期 贵州大学学报(自然科学版) Vo1．24No．1 2007年 1月 JournalofGuizhouUniversity(NaturalSciences) Jan．2O07 文章编号 1000—5269(2007)O1—0090—04 聚酰亚胺表面钝化工艺 龚 红，梁 蓓 (贵州大学 电子科学系，贵州 贵阳550025) 摘 要：介绍了聚酰亚胺 (PI)作为硅双极型大功率开关器件芯片制造阶段表面钝化膜的工 艺技术，该钝化工艺的工艺简单、成本低且能与普通的硅平面制造工艺兼容。实验表明，该工 艺的使用能提高器件的可靠性，降低生产成本。 关键词：聚酰亚胺；表面钝化；化学腐蚀；亚胺化 中图分类号：TN305 文献标识码：B 1 引言 在硅双极型大功率开关器件芯片制造过程中，为了提高器件的电学性能和可靠性，在芯片表面常采用二 氧化硅、氮化硅或磷硅玻璃 (PSG)等有机材料来做钝化膜…。多年的生产实践证明，这些材料的钝化效果 良好，但是这些材料的制备需要增加先进的设备，从而增加了器件的制造成本。近年来，随着集成电路制造 技术水平的不断发展，芯片的所谓软错误、信号延迟、降低制造成本等因索使聚酰亚胺 (PI)在微电子领域 得到广泛应用-5J。实践证明，具有PI钝化保护层的集电成路芯片具有很低的漏电流、较强的机械性能以及 耐化学腐蚀性能。同时，PI膜也可有效地遮挡潮气，增加元器件的抗潮湿能力，从而改善了芯片的电学性 能，降低了生产成本，获得了很大的经济效益，但是聚酰亚胺在大功率器件中的应用还不是很多。 本研究的目的用聚酰亚胺代替二氧化硅、氮化硅或磷硅玻璃等有机材料来做大功率器件芯片的表面钝化 膜，并解决该钝化工艺的关键工艺问题。 2 聚酰亚胺的特性 聚酰亚胺是一种高分子化合物，具有如下特性： (1)基本性能 (见表 1) 表 1 聚酰亚胺的基本性能 (2)化学性能 固化后的PI化学性能很稳定，耐一切有机溶剂及磷酸、盐酸、氢氟酸和其它稀酸，不耐强碱和热的强 酸。 (3)独特的PL／Si界面性质 研究表明，在PI．／Si结构中，PI层带有 10uca-2个负电荷，它能有效的削弱SiO2层中正电荷对器件的 不 良影响 。 收稿 日期：2006—11—20 作者简介；龚 红 (1977一)，女，2004级硕士研究生；研究方向：微电子学与固体电子学。 第 1期 龚红 等：聚酰亚胺表面钝化工艺 -91· (4)PI膜与铝膜间有良好的热匹配性 PI膜用于钝化，能减缓后工艺的热应力和机械损伤，同时PI膜还能减轻铝的电迁移，降低引线开路引 起的失效几率 J。 (5)良好的微细加工特性 聚酰亚胺 (PI)或其预聚体聚酰胺酸 (PA)容易腐蚀成形，图形清晰，边缘整齐。 (6)热稳定性 从热差分析得知，PA在110~C一130~C时溶剂大量挥发，160~C以上亚胺化速度加快，250~C一300~C基本 实现亚胺化，300oC一400oC充分亚胺化，温度再升高PI开始分解 』。 3 聚酰亚胺表面钝化工艺试验 本研究采用的试验设备：G一25型光刻机，KW一4A匀胶机，DHG一9023型全 自动真空高温烘箱；聚酰 亚胺样品：上海交通大学生产的PI—5；芯片样品：NPN型硅平面功率开关晶体管芯片。 聚酰亚胺不溶于有机溶剂，目前使用的实际都是PI预聚体一聚酰胺酸 (PA)成膜后亚胺化脱水得到PI 膜。 3．1 工艺流程 (见图1)： 3．2 关键工艺问题的解决 从聚酰亚胺表面钝化工艺流程我们可 以知道 ，刻蚀和亚胺化是该工艺的关键环 节_6J。由于实验室没有干法刻蚀设备，本 实验过程采用湿法刻蚀 ，能与硅平面工艺 的光刻工艺兼容。 (1)PA膜的预固化温度和光刻坚膜 温度的决定 根据实验，腐蚀液采用乙二胺和水合 肼的混合液作 PA膜的腐蚀液。由于聚酰 亚胺耐一切有机溶剂及磷酸、盐酸、氢氟 酸和其它稀酸，因此在腐蚀 PA膜