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表面态对AlGaN_GaN异质结构中二维电子气的影响
光电 ·材料 2009年第 22 卷第 3期
表面态对 A l GaN / GaN 异质结构中二维电子气的影响
1 2
谢 峰 , 李德昌
( 1西安电子科技大学 技术物理学院 , 陕西 西安 7 1007 1;
2 西安电子科技大学 理学院 , 陕西 西安 7 1007 1)
摘 要 基于静电学分析 , 得出表面态是电子的一个重要来源 。基于这一分析 , 可以解释已发表的关于二
( )
维电子气 2D EG 的大量数据 。例如 , 2D EG密度随着 A lGaN 层厚度 、A l组分的变化的原因。当 A l03Ga07N /
GaN 结构中生长一层 5 nm 厚的 GaN 冒层时 , 2D EG浓度由 147 ×1013 cm - 2减少到 120 ×1013 cm - 2 , 减少是由于
( )
表面类施主态离化减少 。由于充分厚的 GaN 冒层导致 GaN /A lGaN / GaN 上界面形成二维空穴气 2DH G , 所以在
超出特定的冒层厚度时 2D EG浓度达到饱和 。
关键词 A lGaN / GaN ; 表面态 ; GaN 冒层
中图分类号 TN 305 文献标识码 A 文章编号 1007 - 7820 (2009) 03 - 078 - 03
Influence of Surface Sta tes on TwoD im en siona l E lectron Ga s
in A lGaN / GaN Hetero structure
1 2
X ie Feng , L i D echang
( 1School of Techn ical Physic s, X idian Un iversity, X ian 7 1007 1, Ch ina;
2 School of Science, X idian Un iversity, X ian 7 1007 1, Ch ina)
Ab stract B ased on an analysis of the electro statics, surface states are identified as an important source
of electron s, wh ich exp lain s a w ide range of pub lished data on the two dim en sional gas ( 2DEG
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