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2017-06-01 发布于天津
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In、Sc掺杂对SrTiO3电子结构和光学性质的影响

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) M arch ActaPhys．一Chim．Sin．，2010，26(3)：751—757 751 A【rticle】 www．whxb．pku．edu．cn In、Sc掺杂对SrTiO3电子结构和光学性质的影响负江妮张志勇 (西北大学信息科学与技术学院，西安 710127) 摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法，研究了In、ScP型掺杂对SrTiO。母体化合物稳定性、电子结构和光学性质的影响．计算结果表明：掺杂后，Srln T 5()和SrSc Ti ()3的稳定性降低，体系显示P型简并半导体特征，掺杂仅引起杂质原子近邻区域的几何结构发生变化．同时，Srlno i5()。和 SrSc T| 5()。体系的光学带隙分别胜宽0．35、0．30eV，光学吸收边发生蓝移，在 1．25—2．00eV的能量区间出现新的吸收峰，该吸收峰与体系Drude型自由载流子的激发相关．此外，srI 0和SrSc ITi一5()。体系的可见光透过率有了明显的提高，在 350-625am波长范围透过率高于85％．掺杂原子在费米能级处低的电子态密度限制了跃迁概率和光吸收．大的禁带宽度、小的跃迁概率和弱的光吸收是Srln0ITi00。和SrSc io．5()。体系具有较高光学透明度的原因．关键词：第一性原理计算；SrTiO；P型掺杂；电子结构；光学性质中图分类号： O641 EffectofInandScDopingontheElectronicStructureandOptical PropertiesofSrTi03 YUN Jiang—Ni ZHANGZhi—Yong (SchoolofInformationScienceandTechnology，NorthwestUniversity，Xian 710127,P．R．China) Abstract： TheeffectofIn andScP—typedopingon thestructuralstabifity，electronicstructure，andoptical propertiesofSrTiO3wasinvestigatedbyfirst—principlescalculationsofplanewaveultra-softpseudo—potentialbasedon densiytfunctionaltheory(DFr)．ThecalculatedresultsrevealedthatthestructuralstabiliytofSrTiO3wasweakenedafter InandScdopingnadthatthepartialsubstitutionofInforTi(orScforTi)merelyresultedinlocalstrucutralchanges aroundthedopantsites．Th edopedSrln0 ． 1zsTio~